Development of purely-electronic resistive switching devices based on field-induced Mott transition
基于场感莫特跃迁的纯电子阻变器件的研制
基本信息
- 批准号：16K18073
- 负责人：
- 金额：$ 2.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（64）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Capacitance evaluation of compact silicon triple quantum dots by simultaneous gate voltage sweeping
- DOI：10.1063/1.4972197
- 发表时间：2016-12
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：T. Uchida;M. Jo;A. Tsurumaki‐Fukuchi;M. Arita;A. Fujiwara;Yasuo Takahashi
- 通讯作者：T. Uchida;M. Jo;A. Tsurumaki‐Fukuchi;M. Arita;A. Fujiwara;Yasuo Takahashi
単層FeMgF2グラニュー単電子トンジスタにおける等周期クーロン振動の解析
单层 FeMgF2 粒状单电子晶体管等周期库仑振荡分析
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：瘧師 貴幸;浅井 佑基;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
- 通讯作者：高橋 庸夫
Enhanced defect formation at metal/oxide interfaces and its application to resistive memory devices
金属/氧化物界面处增强的缺陷形成及其在阻变存储器件中的应用
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Tsurumaki-Fukuchi;M. Arita;and Y. Takahashi
- 通讯作者：and Y. Takahashi
Investigation of resistive switching memory effect in a-TaOx films with atomically flat surface
原子级平坦表面 a-TaOx 薄膜中阻变记忆效应的研究
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：A. Tsurumaki-Fukuchi;M. Arita;T. Katase;H. Ohta;Y. Takahashi
- 通讯作者：Y. Takahashi
Electrical Characteristics of Single-Electron Transistor Made of Fe-MgF2 Single-Layer Granular Thin Films
Fe-MgF2单层颗粒薄膜单电子晶体管的电学特性
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Asai Yuki;Honjo Shusaku ;Gyakushi Takayuki;Tsurumaki-Fukuchi Atsushi;Arita Masashi;Takahashi Yasuo
- 通讯作者：Takahashi Yasuo
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通过电阻开关氧化物的原子尺度观察提出用于人工突触的高性能材料
- 批准号：
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Continuing Grant
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- 资助金额：
$ 2.16万 - 项目类别：
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