Proposal of high-performance materials for artificial synapses via atomic-scale observations of resistive switching oxides

通过电阻开关氧化物的原子尺度观察提出用于人工突触的高性能材料

• 批准号: 19K04484
• 负责人: Fukuchi Atsushi
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2019
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2019-04-01 至 2022-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-19K04484/
• 关键词: メモリスタ; アモルファス酸化物; 抵抗スイッチング; 走査型プローブ顕微鏡法; 人工シナプス; 非線形伝導現象; ニューロモルフィックデバイス; プローブ顕微鏡; 抵抗変化型メモリ; 酸化タンタル; 酸化物薄膜; シナプス素子; 金属酸化物; 薄膜; 抵抗変化メモリ

项目成果

Non-Uniform Gate-Capacitance Distribution in Fe Nanodot Array Based Double-Gate Single-Electron Devices Due to Geometrical Structure of the Dots

基于铁纳米点阵列的双栅单电子器件中由于点的几何结构导致的不均匀栅极电容分布

• 发表时间: 2021
• 作者: Takayuki Gyakushi;Yuki Asai;Beommo Byun;Ikuma Amano;Atsushi Tsurumaki-Fukuchi;Masashi Arita;Yasuo Takahashi
• 通讯作者: Yasuo Takahashi

デジタル型/アナログ型抵抗変化特性を示すCBRAMのその場構造解析

CBRAM 的原位结构分析显示数字/模拟电阻变化特性

• 发表时间: 2020
• 作者: 武藤 恵;中島 励;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
• 通讯作者: 高橋 庸夫

Cu系抵抗変化メモリへの電圧印加に伴うCuの移動

由于对 Cu 基电阻变化存储器施加电压而导致的 Cu 迁移

• 发表时间: 2022
• 作者: 中島 励;久保 玲央;福地 厚;有田 正志
• 通讯作者: 有田 正志

ゲート電圧とSetパルス電圧により制御したMOSFET付TaOx系ReRAMのアナログ動作

基于 TaOx 的 ReRAM 的模拟操作，MOSFET 受栅极电压和设置脉冲电压控制

• 发表时间: 2020
• 作者: 木村 大志;李 遠霖;福地 厚;有田 正志;遠藤 和彦;森江 隆;高橋 庸夫
• 通讯作者: 高橋 庸夫

Feナノドットアレイの電気伝導特性の下地層依存

Fe 纳米点阵列电导率特性的底层依赖性

• 发表时间: 2020
• 作者: 天野 郁馬;瘧師 貴幸;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
• 通讯作者: 高橋 庸夫