セレン化亜鉛の気相エピタキシャル成長によるpn接合と青色発光ダイオ-ド

硒化锌气相外延生长PN结及蓝光发光二极管

基本信息

批准号：
03205013
负责人：
村野井徹夫
金额：
$ 1.09万
依托单位：
Ibaraki University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1991
资助国家：
日本
起止时间：
1991 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.前年度までにZn及びSe単体を原料にして水素輸送法によりZnSeを成長させると同時に、P及びLiのコ・ド-ピングによってGaAs基板上に低抵抗率のp形ZnSeが成長できることとpn接合による発光ダイオ-ドについて報告した。しかし、試作ダイオ-ドは必ずしも良好な特性を示すに至っていない。良好なpn接合を得るためにはn層の導電率を高くすること、p層の不純物の再分布を抑制する必要がある。このためには、p層の成長温度(450℃)以下でのホモエピタキシャル成長温度とドナ-不純物のド-プ条件を明きらかにする必要がある。そこで、今年度はエピタキシャル成長に対する塩化水素(HCl)ガスエッチングの効果と沃化メチル(CH_3I)を用いて沃素のド-ピングについて検討した。(1)HClによるエッチングの結果、ホモエピタキシについては250℃以上、GaAs基板に対するヘテロエピタキシについては200℃以上のHCl中熱処理により350℃でのエピタキシャル成長が可能であることを明きらかにした。ヘテロエピの場合HClガスエッチング後、真空排気してから成長させた場合でも従成のアンド-プの時よりもキャリア濃度が約1桁高く、SIMS分析の結果Clが約10^<17>cm^<-3>含まれている。フォトルミネッセンス(PL)によると中性ドナ-に束縛された励起子線I_Xが観測された。I_Xとキャリア濃度の増加はClによる可能性がある。(2)妖素ド-ピングの結果、最低の流量においてもPLはSA発光等の深い準位によるものが支配的であり、抵抗率も高い。沃素が高濃度にド-プされていると考えられる。2.電子ビ-ム蒸着と抵抗加熱を併用し、ZnSeとZnの同時蒸着を試みた。RHEEDによるとストリ-ク状の回析パタ-ンを示すが、電気的光学的特性はまだ十分な検討ができていない。

1。到上一年，我们报道了ZnSe是使用Zn和SE单独作为原材料生长的，使用氢运输方法将其作为原材料，并且可以通过编码P和LI在GAAS底物上生长低电阻率P型ZnSe，并且PN连接发射的光发射二极管。但是，原型二极管不一定表现出良好的特征。为了获得良好的PN连接，有必要提高N层的电导率并抑制P层中杂质的重新分布。为此，有必要阐明在P层（450°C）的生长温度下或低于或低于供体杂质的同型生长温度和DOP条件。因此，今年我们研究了使用甲基碘化物（CH_3I）蚀刻氯化氢（HCl）气体对外延生长和碘掺杂的影响。（1）由于HCl蚀刻的结果，据显示，同性恋的HCL在250°C或更高的HCl中可以通过热处理在350°C下的外延生长来实现，并且可以通过200°C或更高的HETROEPISAXY在HCL中在GAAS底物上进行GAAS底物上的epitapitaxy。在杂种中，即使在生长后蚀刻了HCl气体然后撤离HCl气体，载体浓度也比辅助和辅助分析的结果大约高的数量级，而SIMS分析的结果表明，CL约为10^<17> cm^<-3>。光致发光（PL）表明，观察到与中性供体结合的激子束I_x。 I_x和载体浓度的增加可能是由于Cl。（2）由于青年掺杂，即使以最低的流量，PL也以深层级别（例如SA发射）为主，电阻率也很高。据信碘以高浓度掺杂。 2。我们尝试使用电子束沉积和电阻加热同时沉积ZnSE和Zn。根据Rheed的说法，它显示出类似条纹的衍射模式，但是尚未对电形性质进行彻底研究。