蒸気圧制御によるP形セレン化亜鉛の気相エピタタキシャル成長

采用蒸气压控制的 P 型硒化锌气相外延生长

基本信息

批准号：
62604515
负责人：
村野井徹夫
金额：
$ 0.96万
依托单位：
Ibaraki University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1987
资助国家：
日本
起止时间：
1987 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

1.開管法:(1)Zn, SeおよびPを水素ガスで独立に輸送し, GaAs基板(半絶縁およびn形)上に気相成長させ, P形低抵抗率のZnSeを450°Cで得た. ホール効果の結果, 抵抗率:0.02Ωcm, 正孔濃度:7×10^<18>cm^<-3>, 移動度:40cm^2/Vsを得た. ホール効果の温度依存性(9K〜室温)により, 縮退状態にあることがわかった. (2)ZnSe基板上に成長させた場合, EPMAによる分析の結果10^<20>cm^<-3>以上のリンがドープされている. 従って, 補償比が1に非常に近いことがわかった. (3)シォトルミネッセンスの結果, リンをドープしたものは9KでSA発光のみで, バンド端発光はみられない. 室温では発光が観測されない. アンドープの膜は強いバンド端発光が観測された.2.閉管法:(1)多結晶ZnSeを原料にし, 原料温度1050°C, △T=10°Cで輸送速度のAr分圧依存性を調べた(10^<-3>〜20Torr). Ar分圧がZnSeの蒸気圧により低いことろでは輸送速度はほぼ一定の値をとり, ZnSe蒸気圧より高いところではAr分圧にほぼ反比例することがわかった. (2)Se分圧に対するZnSeの輸送速度は原料温度1050°CにおいてSe分圧の-3/2剰依存性をもつことを確認した. (3)Se分圧11Torr, 原料温度1000°C, 基板温度800〜920°CでZnSe基板上にエピタキシャル成長させた. (111)A面では基板温度が高くなるとともに, 平坦性が悪くなった. PLのデータは基板温度880°Cと900°Cの時, フォノンレプリカを伴なうI^d発光線が現われ, 結晶性のよい膜が得られた. (111)B面では920°Cの時比較的平坦な膜が得られたが, パンド端発光は全て弱い3.今後の計画:(1)開管法:リンの輸送量, 基板温度およびZnとSeの供給比の最適値を検討し, Pn接合を形成する. 青色発光ダイオードについて検討する. (2)閉管法:分圧制御した時の特性を調べ, アクセプタのドープ条件について実験検討する.

1。开放管方法：（1）用氢气独立运输Zn，SE和P，并在GAAS底物（半绝缘和N型）上生长蒸汽相，并在450°C下获得P低电阻率的ZnSE。霍尔效应结果表明电阻率：0.02ΩCM，孔浓度：7×10^<18> cm^<-3>和迁移率：40cm^2/vs。大厅效应的温度依赖性（9K至室温）表明它处于堕落状态。（2）当在ZNSE底物上生长时，将磷掺入10^<20> cm^<-3>或更多。因此，补偿比非常接近1。（3）由于发光，磷掺杂的磷在9K处发射，并且没有观察到带缘发射。在室温下未观察到光发射。未稳定的膜具有结实的带边发射。2。闭管方法：（1）在原材料温度为1050°C和△t = 10°C（10^<-3> 〜20 torr）上，AR二压的转移速率依赖性。当由于ZnSE的蒸气压力导致AR的压力压力时，运输速率几乎是恒定的，并且几乎与在较高的ZnSE蒸气压力下AR的部分压成反比。（2）可以证实，在SE的部分压力上，ZnSE的运输速率在原材料温度为1050°C下的SE部分压力的过度依赖性为-3/2。（3）在ZnSE底物上生长的11 Torr的SE部分压力为11 Torr，在800-920°C的ZnSE底物上生长。（111）平面A上的底物温度升高，平坦度降低。 PL数据表明，I^D发射线伴随着声子复制品，出现在880°C和900°C的底物温度下，导致膜具有良好的结晶度。（111）该膜在920°C时在B处相对平坦，但所有pando-Edge的发射均较弱。3。未来计划：（1）开放管方法：考虑磷转运，底物温度以及Zn和SE供应率的最佳值以形成PN连接。我们研究了蓝光发射二极管。（2）关闭管方法：调查压力控制时的特征，并实验检查受体掺杂条件。