開殻分子クラスタ-の磁気的相互作用に関する理論的研究

开壳层分子簇磁相互作用的理论研究

• 批准号: 02230218
• 负责人: 山口 兆
• 金额: $ 1.6万
• 依托单位: Hokkaido University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
• 财政年份: 1990
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 1990 至 无数据
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-02230218/
• 关键词: 開殻分子クラスタ-; 磁気的相互作用; ab initio MO; 有機イオンラジカル; 交互積層型CT錯体; 分離積層型CT錯体; 開殻分子クラスタ-; 磁気的相互作用; ab initio MO; 有機イオンラジカル; 交互積層型CT錯体; 分離積層型CT錯体

1.有機イオンラジカル CT磁性体の成分となる高スピンイオンの設計原理を解明するために、発表論文1に示したモデル分子を検討した。まず、置換基X上に局在スピン(Sb)を、π電子系に非局在スピン(σa)分子を持つホ-ルあるいは電子を導入し、それらの分子内スピン間相互作用ー2JabσaSbを、ab initio MO法で計算した。その結果、Jabの符号は主としてスピン分極型のthroughーbond相互作用により決定されることが判明した。一方、電子供与体であるTTF誘導体にニトロニルニトロキシドなどの安定ラジカルを導入した系では、スピン非局在化型のthroughーbond相互作用が優先し、Jab値が負(反強磁性)になる場合があることが見い出された。2.交互積層型CT錯体 TCNEを電子受容体(A)に、発表論文の1の分子1〜6を電子を電子供与体(D)にした場合のCT錯体(D^+A^ー)にラジカル基Xを導入したモデル物質系(図2のAーF)の高および低スピン状態のab initio MO計算を行い、Jacを求めた。計算結果より、分子間積層様式によっては、CT錯体系でもJacが正となり強磁性的スピン整列が可能であることが結論された。しかし、多くの分子配向ではJacが負となり、フエリ磁性体になる可能性が高いことが判明した。3.分離積層型CT錯体 分離積層型においてJacはそれぞれ、負、正となり、伝導電子のスピン分極を媒介にして局在スピンは反強、強磁性的相互作用を持つことがわかる。従って、これらの物質系は反強、強磁性金属になりうる可能性があると結論した。さらに種々の可能性について詳細に考究した。

1。有机离子自由基，以阐明高自旋离子的设计原理，这些原理是CT磁性材料的组成部分，我们检查了论文1中所示的模型分子。首先将替代X上的局部旋转（SB）引入π电子系统中，并带有带有疾病的旋转蛋白（σA）分子的孔或电子的孔或电子，这些孔或电子均引入了培训（σA）。使用AB INITIO MO方法计算-2JABσASB。结果表明，JAB的代码主要是由自旋偏振的整键相互作用确定的。另一方面，发现在一个稳定的自由基（如硝基硝基氧化物）中引入电子供体TTF衍生物的系统中，自旋偏置的跨键相互作用有时需要优先，并且JAB值可能会变为负（抗fiferromagnetic）。 2。在模型材料系统的高和低自旋状态（图2中的A-F）中进行交替堆叠的CT复合物，当将激进的组X引入CT复合物（D^+A^ - ）中时，当TCNE用作电子受体（a）和电子1至6的电子纸的电子（a）和电子（donor）的电子（a）和电子（donor）的电子（d^+a^ - ）。计算结果得出的结论是，根据分子间堆叠模式，JAC即使在CT复合系统中也是正面的，因此可以使铁磁自旋对齐。但是，已经发现JAC在许多分子方向上都是负面的，这使得它很可能是Feli磁性材料。 3。在单独的堆叠类型中，JAC是负和阳性的单独堆叠CT复合物，可以看出，局部旋转具有抗弹力和铁磁相互作用，从而介导了导电电子的自旋极化。因此，得出结论，这些材料系统可以是抗强度的铁磁金属。此外，详细讨论了各种可能性。