負イオンならびにラジカル生成を伴う分子の電子付着過程

伴随负离子和自由基生成的分子电子附着过程

基本信息

批准号：
05237232
负责人：
嶋森洋
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Fukui University of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
财政年份：
1993
资助国家：
日本
起止时间：
1993 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

解離性電子付着により負イオンと中性ラジカル種を生成する過程を対象とし、パルスラジオリシス・マイクロ波加熱空洞法を適用して、平均電子エネルギーを熱エネルギーから約2電子ボルトまで変化させたときの反応速度定数を測定し、それを反応断面積の電子エネルギー依存のデータに変換した。さまざまなハロゲン化合物について得られた主な知見をまとめると以下のようである。a)CCl_4,CFCl_3の断面積は共に0eVにCl^-生成のピークを持ち、電子エネルギーと共に減少する。CFCl_3ではさらに0.8eV付近にCl_2^-生成の第二のピークを示す。CHCl_3では0.3eV付近にCl^-生成の単一ピークを与える。b)臭素化合物の速度定数と断面積はともに電子エネルギー0eV付近にピークを持ち、電子エネルギーの増大と共に減少し、別のピークはみられない。断面積の絶対値はCH_3Br<CHBr_3<CH_2Br_2,及びCFBr_3<CF_3Br<CF_2Br_2の順に大きくなる。c)ヨウ素化合物のCF_3I,CH_2I_2では共に断面積は0eVにピークを持ち、電子エネルギーと共に減衰するが、絶対値はCF_3Iの方がCH_2I_2よりも大きい(いずれもI^-生成過程のみ)。d)臭化エタン、臭化エチレン化合物では、断面積は0eV付近にピークをもち、電子エネルギーと共に減少する。絶対値については、一般にBr数の増加と共に大きくなるが、Br数が1のときF数の増大と共に大きくなるのに対し、Br数が2の場合にはF数の増加によってもほとんど変わらない。同じBr数では、エタン系とエチレン系で顕著な差は見られない。e)ハロゲン化ベンゼンの場合、断面積は置換ハロゲン原子によって大きく異なり、特にピークを与える電子エネルギー値はI,Br,Clと変わるにつれて、0,0.3,0.7eVと推移する。一方、パーフルオロベンゼンとペンタフルオロハロゲン化ベンゼンにおいては置換ハロゲン原子の如何に関わらず、ほとんど同様の断面積絶対値と電子エネルギー依存性(0eVにピークをもつ)を示す。

应用了通过可分化的电子附着产生负离子和中性自由基物种的过程，当平均电子能量从热能更改为大约2个电子伏特时，测量了反应速率常数，然后将其转换为反应横截面的电子能量依赖性数据。对于各种卤素化合物获得的主要发现如下。 a）CCL_4和CFCL_3的横截面区域均具有0 eV的Cl^形式的峰值，并且随着电子能量而减小。 CFCL_3在0.8ev左右显示Cl_2^形式的第二个峰。 CHCL_3给出一个cl^ - 形式的单个峰值约0.3ev。 b）溴化物峰的速率常数和横截面面积在0 eV电子能量附近，并且随着电子能量的增加而减小，没有其他峰可见。横截面区域的绝对值在CH_3BR <CHBR_3 <CH_2BR_2和CFBR_3 <cf_3br <cf_2br_2的顺序上增加。 c）CF_3I和CH_2I_2均具有在0 eV处的两种碘化合物峰的横截面区域，并且用电子能量减弱，但是CF_3I的绝对值大于CH_2I_2（均仅在I^基生成过程中）。 d）对于乙烷溴化物和乙烯溴化物化合物，横截面面积峰值约为0 eV，并随着电子能量减小。绝对值通常会随BR数量的增加而增加，但是当BR的数量为1时，它会随着F的数量增加而增加，而当BR的数量为2时，即使F的数量增加了F，它也不会发生太大变化。对于BR数量相同，乙烷和乙烯之间没有显着差异。 e）对于卤代苯，横截面区域的变化很大，具体取决于取代的卤素原子，尤其是使峰变化为I，BR和CL的电子能量，并将其变化为0,0.3,0.7 eV。另一方面，无论取代的卤素原子如何，全氟苯和五氟氨基化的苯均表现出几乎相同的绝对横截面值和电子能量依赖性（0 eV的峰值）。