Control of site selective doping and carrier transport in core-shell heterojunction nanowires
核壳异质结纳米线中位点选择性掺杂和载流子传输的控制
基本信息
- 批准号：26246021
- 负责人：
- 金额：$ 22.88万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（63）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Elemental Distributions in Individual Ge/Si/Ge Core-Double Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography
通过原子探针断层扫描研究单个 Ge/Si/Ge 核-双壳纳米线中的元素分布
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：O. Sakai;A. Iwai and Y. Nakamura;韓斌，清水康雄，高見澤悠，余銘珂，Wipakorn Jevasuwan，深田直樹，井上耕治，永井康介
- 通讯作者：韓斌，清水康雄，高見澤悠，余銘珂，Wipakorn Jevasuwan，深田直樹，井上耕治，永井康介
Al-Catalyzed Si Nanowires on Thin Si Wafer for Photovoltaic Application
用于光伏应用的薄硅片上的铝催化硅纳米线
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：ジェバスワン ウィパコーン;チェン ジュン;イスブラマニ ティヤグ;ケン プラデル;武井 俊朗;松村 亮;深田 直樹
- 通讯作者：深田 直樹
Growth and doping control of Ge/Si and Si/Ge core-shell nanowires
Ge/Si 和 Si/Ge 核壳纳米线的生长和掺杂控制
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：N. Fukata;M. Yu;W. Jevasuwan;M. Mitome;Y. Bando;and Zhong Lin Wang
- 通讯作者：and Zhong Lin Wang
Dopant Distribution in Ge / Si Core-Shell Nanowires Investigated by Atom Probe Tomography
通过原子探针断层扫描研究 Ge/Si 核壳纳米线中的掺杂剂分布
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：B. Han;Y. Shimizu;K. Inoue;W. Jevasuwan;N. Fukata;Y. Nagai
- 通讯作者：Y. Nagai
Ge/Si コアシェルナノワイヤ中のシェルの結晶性とドーピング評価
Ge/Si核壳纳米线的壳结晶度和掺杂评估
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：余銘珂;神永惇;ウィパコーン ジェバスワン;深田直樹
- 通讯作者：深田直樹
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Fukata Naoki其他文献
Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure
ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si叠层结构退火形成游离氢气
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- 作者：
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Fukata Naoki
Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films
高温生长的掺锑锗外延薄膜中的掺杂剂再分布
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- 影响因子：3.8
- 作者：
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Fukata Naoki
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- 影响因子：0
- 作者：
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Fukata Naoki
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通过高速连续波激光退火在绝缘衬底上生长具有均匀和非均匀 Si 浓度分布的 SiGe 薄膜
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- 影响因子：4.1
- 作者：
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Fukata Naoki
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10.1149/10202.0141ecst - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
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利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池
- 批准号：
26600049 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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绝缘基板上硅基纳米线的自下而上生长
- 批准号：
17H07351 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
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IV族包合物薄膜生长技术的发展
- 批准号：
16K21072 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
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硅基二维材料的生长和表征
- 批准号：
15K13943 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
面方位混載型・歪みゲルマニウム超薄膜の創製と超高速トランジスタへの応用
混合表面取向超薄应变锗薄膜的制备及其在超高速晶体管中的应用
- 批准号：
12J04434 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Formation of relaxed Ge thin films by surfactant mediation and its application to devices
表面活性剂介导松弛Ge薄膜的形成及其在器件中的应用
- 批准号：
24246003 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 22.88万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)