Formation of Si nanostructure solar cells on glass substrates using aluminum induced crystallization
利用铝诱导结晶在玻璃基板上形成硅纳米结构太阳能电池
基本信息
- 批准号:26600049
- 负责人:
- 金额:$ 2.5万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(30)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Nanoimprint SiNW-based Solar Cells fabrication and p-matrix coverage optimization
基于纳米压印 SiNW 的太阳能电池制造和 p 矩阵覆盖优化
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:ジェバスワン ウィパコーン;中島清美;杉本喜正;深田 直樹
- 通讯作者:深田 直樹
Formation of Large-grain polycrystalline Si Layer on Quartz by Al-induced Crystallization for Thin-Film Solar Cells
用于薄膜太阳能电池的铝诱导结晶在石英上形成大晶粒多晶硅层
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Joko Suwardy;Wipakorn Jevasuwan,Kaoru Toko;Takashi Suemasu;Naoki Fukata
- 通讯作者:Naoki Fukata
Low-temperature UV ozone-treated high efficiency radial p-n junction solar cells: N-Si NW arrays embedded in a p-Si matrix
- DOI:10.1016/j.nanoen.2014.10.028
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:17.6
- 作者:M. Dutta;N. Fukata
- 通讯作者:M. Dutta;N. Fukata
Transfer-free synthesis of highly ordered Ge nanowire arrays on glass substrate
玻璃基板上无转移合成高度有序的Ge纳米线阵列
- DOI:10.1063/1.4932054
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:4
- 作者:M. Nakata;K. Toko;W. Jevasuwan;N. Fukata;N. Saitoh;N. Yoshizawa;and T. Suemasu
- 通讯作者:and T. Suemasu
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Fukata Naoki其他文献
Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure
ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si叠层结构退火形成游离氢气
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Dopant Redistribution in High-Temperature-Grown Sb-Doped Ge Epitaxial Films
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Fukata Naoki
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Fukata Naoki
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高速连续波激光退火在玻璃基板上生长拉伸应变多聚锗薄膜及其在锗锡中的应用
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- 影响因子:2.2
- 作者:
Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者:
Fukata Naoki
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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Control of site selective doping and carrier transport in core-shell heterojunction nanowires
核壳异质结纳米线中位点选择性掺杂和载流子传输的控制
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$ 2.5万 - 项目类别:
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振动单向凝固法多晶硅锭的显微组织控制
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23760714 - 财政年份:2011
- 资助金额:
$ 2.5万 - 项目类别:
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