Bottom up growth of Si based nanowires on insulating substrates
绝缘基板上硅基纳米线的自下而上生长
基本信息
- 批准号：17H07351
- 负责人：
- 金额：$ 1.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-08-25 至 2019-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Growth of Au/Sn-catalyzed Ge 1-x Sn x nanowires with high Sn content (~5 at.%)
生长%20of%20Au/Sn催化%20Ge%201-x%20Sn%20x%20纳米线%20with%20high%20Sn%20含量%20(~5%20at.%)
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：孫永烈 松村亮 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
- 通讯作者：孫永烈 松村亮 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
The Structural Controlled SiNWs by Wet and Dry Etching Processes for Photovoltaic Applications
用于光伏应用的湿法和干法蚀刻工艺的结构控制 SiNW
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Atsushi Miyauchi;Tomohiro Sonobe;and Noriyoshi Sukegawa;Yasushi Kawase and Atsushi Miyauchi;宮内 敦史，武田 朗子;松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹;河瀬 康志，宮内 敦史;JEVASUWANWipakorn CHENJunyi SUBRAMANIThiyagu PRADELKen Kei Shinotsuka Yoshihisa Hatta 武井俊朗 松村亮 深田直樹
- 通讯作者：JEVASUWANWipakorn CHENJunyi SUBRAMANIThiyagu PRADELKen Kei Shinotsuka Yoshihisa Hatta 武井俊朗 松村亮 深田直樹
Single domain poly-Si film on insulating substrate by limited region aluminum induced layer exchange growth
通过有限区域铝诱导层交换生长在绝缘衬底上形成单畴多晶硅薄膜
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Atsushi Miyauchi;Tomohiro Sonobe;and Noriyoshi Sukegawa;Yasushi Kawase and Atsushi Miyauchi;宮内 敦史，武田 朗子;松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
- 通讯作者：松村亮 王云帆 JEVASUWANWipakorn 深田直樹
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Matsumura Ryo其他文献
Position-sensitive detectors based on redshifts in photoluminescence spectra
基于光致发光光谱红移的位置敏感探测器
- DOI：
10.1117/1.oe.58.7.077108 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.3
- 作者：
Tsutsumi Yasuhiro;Matsumura Ryo;Ohta Masamichi;Fujieda Ichiro - 通讯作者：
Fujieda Ichiro
Concentric re-emission pattern from a planar waveguide with a thin uniform luminescent layer
具有薄均匀发光层的平面波导的同心再发射图案
- DOI：
10.1364/ao.384323 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：
Matsumura Ryo;Tsutsumi Yasuhiro;Fujieda Ichiro - 通讯作者：
Fujieda Ichiro
Cross talk and optical efficiency of an energy-harvesting color projector utilizing ceramic phosphors
使用陶瓷荧光粉的能量收集彩色投影仪的串扰和光学效率
- DOI：
10.1364/ao.58.009896 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.9
- 作者：
Yunoki Kohei;Matsumura Ryo;Kohmoto Takamasa;Ohta Masamichi;Tsutsumi Yasuhiro;Fujieda Ichiro - 通讯作者：
Fujieda Ichiro
Self-organized〈1 0 0〉direction growth of germanium film on insulator obtained by high speed continuous wave laser annealing
高速连续波激光退火绝缘体上锗薄膜自组织<1 0 0>方向生长
- DOI：
10.1016/j.matlet.2021.129328 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：3
- 作者：
Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Formation of Free Hydrogen Gas By Annealing ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si Stacked Structure
ALD-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Si叠层结构退火形成游离氢气
- DOI：
10.1149/10805.0057ecst - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Matsumura Ryo;Fukata Naoki - 通讯作者：
Fukata Naoki
Matsumura Ryo的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似国自然基金
Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
- 批准号：10774081
- 批准年份：2007
- 资助金额：45.0 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
- 批准号：
23K23214 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 1.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
MOD超電導薄膜の結晶成長のその場電子顕微鏡観察
MOD超导薄膜晶体生长的原位电镜观察
- 批准号：
24K08259 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 1.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
10mm級大面積の単結晶薄膜ハライドペロブスカイト実現に向けた結晶成長技術の開発
开发晶体生长技术实现10mm级大面积单晶薄膜卤化物钙钛矿
- 批准号：
24K08273 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 1.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
単結晶の巨大圧電性と多結晶の強靭性を併せ持つ革新的圧電トランスデューサ薄膜の創出
创建一种创新的压电换能器薄膜，结合了单晶的巨压电性和多晶的韧性
- 批准号：
22H01925 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 1.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
前駆体相からの結晶成長による単結晶有機薄膜蒸着プロセスの開発とデバイス応用
前驱体相晶体生长单晶有机薄膜沉积工艺及器件应用的开发
- 批准号：
22H01946 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 1.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)