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Development of self-controlled wet-chemical nanomachining to shape and cleave Si crystals on the atomic-layer scale
开发自控湿化学纳米加工以在原子层尺度上成形和切割硅晶体
基本信息
- 批准号：22H00187
- 负责人：
- 金额：$ 26.79万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份：2022
- 资助国家：日本
- 起止时间：2022-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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有馬 健太其他文献
マイクロ流路を用いたDNA自己組織ナノ構造体の高速作製
使用微通道快速制造 DNA 自组装纳米结构
- DOI：
- 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
原 啓太;稲垣 達也;山下 直輝;有馬 健太;山村 和也;田畑 修;川合 健太郎 - 通讯作者：
川合 健太郎
ヘリウムイオン顕微鏡を用いたSiO2膜上の単分子膜へのナノポア形成
使用氦离子显微镜在 SiO2 薄膜上单层纳米孔的形成
- DOI：
- 发表时间：
2017 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
林 拓海;川合 健太郎;有馬 健太;森田 瑞穂 - 通讯作者：
森田 瑞穂
水分子が吸着したGeO2/Ge構造の特異な帯電状態のAP-XPS観測
AP-XPS 观察吸附水分子的 GeO2/Ge 结构的独特带电状态
- DOI：
- 发表时间：
2015 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
有馬 健太;森 大地;岡 博史;細井 卓治;川合 健太郎;Liu Zhi;渡部 平司;森田 瑞穂 - 通讯作者：
森田 瑞穂
半導体表面におけるグラフェン・アシストエッチングの基礎特性の解明
阐明半导体表面石墨烯辅助刻蚀的基本特性
- DOI：
- 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
平野 智暉;中田 裕己;山下 裕登;李 韶賢;川合 健太郎;山村 和也;有馬 健太 - 通讯作者：
有馬 健太
Direct fabrication of PEGDA micro suction cup array using inclined/rotating mirror exposure system
使用倾斜/旋转镜曝光系统直接制造PEGDA微吸盘阵列
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
三栗野諒;小笠原歩見;川合健太郎;山村和也;有馬 健太;Takumi Sugimoto and Hidetoshi Takahashi - 通讯作者：
Takumi Sugimoto and Hidetoshi Takahashi
有馬 健太的其他文献
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{{ truncateString('有馬 健太', 18)}}的其他基金
ナノカーボンが持つ腐食作用を逆手に取った異方的ナノ化学リソグラフィーへの挑戦
利用纳米碳的腐蚀作用对各向异性纳米化学光刻提出的挑战
- 批准号：
21K18676 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 26.79万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
原子像実空間観察を用いた酸素フリーGe表面創成型湿式洗浄プロセスの開発
利用实空间原子图像观察开发无氧Ge表面湿法清洗工艺
- 批准号：
19026008 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 26.79万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
表面ホール電位分布計測による電子材料内部埋没構造のナノレベル透視技術の開発
通过测量表面空穴电位分布开发电子材料内部埋入结构的纳米级透视技术
- 批准号：
17760029 - 财政年份：2005
- 资助金额：
$ 26.79万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
水平磁場印加表面ホール電位分布測定による半導体薄膜の内部局所物性計測技術の開発
开发通过施加水平磁场测量表面空穴电势分布来测量半导体薄膜内部局部物理性质的技术
- 批准号：
15760022 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 26.79万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
電界ストレス局所絶縁破壊による水素化アモルファスシリコン表面光誘起欠陥の直接観察
直接观察氢化非晶硅表面因电场应力局部介电击穿而产生的光致缺陷
- 批准号：
13750032 - 财政年份：2001
- 资助金额：
$ 26.79万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
Controllability Improvement of Silicon Surface Finishing Using Electroless Reaction and Its Application for Resource Recovery and Elemental Analysis
化学镀反应硅表面处理的可控性改进及其在资源回收和元素分析中的应用
- 批准号：
22K04779 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 26.79万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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利用纳米碳的腐蚀作用对各向异性纳米化学光刻提出的挑战
- 批准号：
21K18676 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 26.79万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Development of wet etching technology for nitride semiconductors using strong oxidizing agents and application to transistors
使用强氧化剂的氮化物半导体湿法蚀刻技术的开发及其在晶体管中的应用
- 批准号：
20H02175 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 26.79万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Innovative formation of H-terminated Si atomic sheets by atomically controlled wet science
通过原子控制湿科学创新形成氢端硅原子片
- 批准号：
19H02478 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 26.79万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Low-damage Processing of Nitride Semiconductors Based on Self-stoping Oxdization and Transistor Applications
基于自停止氧化的氮化物半导体低损伤加工及晶体管应用
- 批准号：
17H03224 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 26.79万 - 项目类别：
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