半導体および絶縁体におけるショック・ルミネッセンスの発現機構の解明

阐明半导体和绝缘体中的冲击发光机制

基本信息

批准号：
07640441
负责人：
伊藤稔
金额：
$ 1.41万
依托单位：
Shinshu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1995
资助国家：
日本
起止时间：
1995 至无数据
项目状态：
已结题

项目摘要

次の項目を実施した。(1)衝撃力発生装置の製作(平成7年6-10月期)梃子の原理を応用したメカニカルなハンマーを自作した。撃力の大きさを正確に測定することはきなかったが、最大の撃力をNaClのようなイオン結晶に印加するとサンプルを粉砕することができた。(2)試料の育成(平成7年6月-平成8年3月期)当研究室で既に所有しているサンプル(GaAs,AgBr,KClなど)以外に、NaCl,KI等の結晶をカイロポーラス法を用いて育成した。また、これらのイオン結晶を水溶液から蒸発法により育成した。(3)オプティカル・マルチチャンネル・ディテクション(OMD)システムの構築(平成7年11月-平成8年2月期)浜松ホトニクス社からFFT-CCDマルチチャンネル検出器ヘッドを購入し、それを既存の分光器に接続してOMDシステムとした。システムは同時に購入したPMAコントローラC5967-02型で制御し、得られた発光スペクトルを解析するためのソフトウエアーを開発した。(4)ショック・ルミネッセンス(SL)の観測(平成7年12月-平成8年3月期)予備実験として、NaCl結晶を対象にSLの観測を試みた。微弱ながらSLと思われるシグナルを観測することができた。しかし、シグナル強度を上げるため、印加する撃力を大きくするとサンプルが割れるなどのトラブルのため、再現性の良いデータを得るのが難しいことがわかった。この点を改善するため、ディスロケーションの少ない高品位のサンプルの育成・入手と光検出器の感度向上が当面の課題である。

实施了以下项目。（1）冲击力发生器的制作（1995年6月-10月）我利用杠杆原理制作了自己的机械锤。尽管无法精确测量冲击力的大小，但施加到离子晶体（例如 NaCl）的最大冲击力能够粉碎样品。 (2)样品生长(1995年6月-1996年3月) 除了我们实验室已有的样品(GaAs、AgBr、KCl等)外，我们还使用了NaCl、KI等手性孔晶体，采用该法进行培养。另外，这些离子晶体是通过蒸发法从水溶液中生长的。 (3)光学多通道检测(OMD)系统的构建(1995年11月-1996年2月)从Hamamatsu Photonics购买了FFT-CCD多通道检测头，并将其安装到现有的光谱仪上，形成OMD系统。该系统由同时购买的C5967-02型PMA控制器控制，并开发软件对获得的发射光谱进行分析。 (4)冲击发光(SL)的观察(1995年12月-1996年3月) 作为初步实验，我们尝试观察NaCl晶体上的SL。虽然信号很弱，但我们还是观察到了看似 SL 的信号。然而，事实证明，当增加施加的冲击力以增加信号强度时，由于样品破裂等问题，很难获得具有良好再现性的数据。为了改善这一点，当前的挑战是生长并获得位错较少的高质量样品并提高光电探测器的灵敏度。