陽電子による半導体中の結晶欠陥及びドーパント状態の研究

使用正电子研究半导体中的晶体缺陷和掺杂态

基本信息

批准号：
04650025
负责人：
堂山昌男
金额：
$ 1.34万
依托单位：
Teikyo University of Science & Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1992
资助国家：
日本
起止时间：
1992 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-04650025/
关键词：
陽電子消滅半導体結晶欠陥ドーパント

项目摘要

本研究では分子動力学の方法を用いて、金属の結晶成長をシミュレートした。純金属の原子間の相互作用を2体及び、付近の多体N個の原子配置により表わし、このポテンシャルを用いて気相からの結晶成長を分子動力学を用いて計算し、その成長機構をしらべた。金属中の原子間相互作用は2体問題では取扱いにくく、多体問題を考慮に入れたN体ポンテシャルが開発されている。原子の相互作用を計算するとき単に2つの原子の間の距離のみでなく他の原子からの影響も考慮に入れた密度汎関数による多体ポンテシャルである。本研究ではembedded atom法により決められた多体ポンテシャルを用いた。具体的には純銅で面心立方中のイオン間のN体ポテンシャルを用いて、分子動力学法を用いて、気相からの結晶成長のシミュレーションの動的挙動を電子論も考慮した形で計算した。これらの計算結果をビジュアルにビデオテープに出し、結晶成長機構を原子的に解明に役立った。計算結果においては表面の気相成長の場合に表面拡散が非常に重要なことがわかった。N体ポテンシャルを用いて表面のad-atomおよびそのクラスターと表面との結合エネルギー、移動のエネルギーを計算した。その結果銅においてはad-atomは(111)面上を非常に容易に動けることがわかった。(111)面[最密原子面]では原子の拡散が非常に容易で重要であることがわかった。ad-atomのクラスター、および表面の空孔はad-atomと比べてかなり動きにくいことがわかった。これは銅にかぎらず、多くの面心立方格子に共通したものと考えられる。これら結合と拡散の素過程の定量的情報が明らかになった。

在这项研究中，我们使用分子动力学方法来模拟金属晶体的生长。纯属金属原子之间的相互作用通过两个物体和附近的n原子的排列表达，并使用这种潜力，使用分子动力学计算了气相的晶体生长，并检查了生长机制。金属中原子之间的相互作用在两体问题中很难处理，并且已经开发出了N体庞氏症，考虑到了多体问题。当计算原子的相互作用时，它只是一种具有密度功能的多体性载体，不仅考虑了两个原子之间的距离，还考虑了其他原子的效果。在这项研究中，使用了由嵌入原子法确定的多体载体。具体而言，同时考虑到电子理论，使用了带有纯铜的面孔中的N体势，使用分子动力学方法来计算气相晶体生长模拟的动态行为。这些计算结果在录像带上视觉显示，以帮助原子阐明晶体生长机制。计算结果表明，在表面蒸气沉积的情况下，表面扩散非常重要。使用N体电位计算了表面及其簇及其表面之间的结合能和转移能。结果表明，在铜中，Ad-Otoms可以很容易地在（111）表面移动。已经发现，在（111）平面[最接近原子平面]上，原子扩散非常容易且重要。发现Ad-Atoms和表面空缺的簇比Ad-Atoms少得多。这被认为是许多以面部为中心的立方格的常见，而不仅仅是铜。已经揭示了有关结合和扩散元件过程的定量信息。