強誘電性液晶ディスプレイ用酸化亜鉛バリスタ薄膜材料の開発
铁电液晶显示器用氧化锌压敏电阻薄膜材料的研制
基本信息
- 批准号:11750603
- 负责人:
- 金额:$ 1.41万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
- 财政年份:1999
- 资助国家:日本
- 起止时间:1999 至 2000
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
現在製品化されている強誘電性液晶ディスプレイは数100万個の液晶素子それぞれにサージ機能を付与するためにコストが大きくなる欠点を有しているため、サージ素子としてバリスタ薄膜を用いる提言が成されている。これに要求される特性は酸化亜鉛バリスタ薄膜材料が実現に一番近い材料と考えられる。この薄膜の構造を制御し、多層化によりバリスタ電圧を制御し、各層の組成の最適化を計ることにより低抵抗化することが期待できる。本研究はZnO/Pr_6O_<11>多層膜を作製し、要求を満たす特性を有する酸化亜鉛バリスタ薄膜を開発することを目的とし、成膜プロセスにおける酸素ガス圧制御が抵抗、膜構造および相の安定性を左右することから、酸素ガス圧条件を詳細に検討し最適化を計り、また多層化させることによりバリスタ電圧を制御し、また実用化要求である膜厚200nm以下の構造を検討し、以下の結果を得た。レーザーアブレーション法を用いて作製したZnO/Pr_6O_<11>多層膜明瞭なバリスタ特性を示し、そのバリスタ電圧Vbは0.15〜0.30,非線形係数αは2.5〜4.3の値を示し、低電圧バリスタとなることが判明した。さらに膜厚を[ZnO/Pr_6O_<11>]=250Å/250Åとした薄膜試料においてもバリスタ特性を示すことが判明した。さらに、大きなバリスタ電圧Vb電圧を有する薄膜として本研究ではBaTiO_3薄膜にも注目した。本系薄膜は電極界面にバリスタの発現機構を有することから、BaTiO_3層を減少させることが可能である。これより、元来誘電率の大きなBaTiO_3を、超薄膜化することにより、誘電率を下げ電極をAlとすることにより3V以上のバリスタ電圧Vb電圧を有する薄膜が得られた。
目前商业化的铁电液晶显示器具有增加成本的缺点,因为数百万个液晶元件中的每一个都具有浪涌功能,因此使用压敏电阻薄膜作为浪涌元件的提议已经成功。氧化锌压敏电阻薄膜材料被认为是最接近实现所需特性的材料。通过控制这种薄膜的结构,通过多层化控制压敏电阻电压,并优化每层的成分,有望降低电阻。本研究的目的是制备ZnO/Pr_6O_<11>多层薄膜并开发出特性满足要求的氧化锌压敏电阻薄膜。我们仔细考虑并优化了氧气压力条件,通过多层化来控制压敏电阻电压,并考虑了实际使用所需的膜厚为200 nm或更小的结构,获得了结果。采用激光烧蚀法生产的ZnO/Pr_6O_<11>多层膜表现出明显的压敏电阻特性,压敏电阻电压Vb为0.15~0.30,非线性系数α为2.5~4.3,成为低电压压敏电阻。另外,可知膜厚为[ZnO/Pr_6O_11]=250埃/250埃的薄膜样品也表现出压敏电阻特性。此外,本研究重点关注BaTiO_3薄膜作为具有大压敏电压Vb电压的薄膜。由于该薄膜在电极界面处具有压敏电阻机制,因此可以减少BaTiO_3层。由此,通过将原本具有高介电常数的BaTiO_3制成超薄膜,通过降低介电常数并使用Al作为电极,获得了压敏电阻电压Vb为3V以上的薄膜。
项目成果
期刊论文数量(3)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
杉山聡: "レーザアブレーション法により作製されたZnO/Pr_6O_<11>積層薄膜のバリスタ特性"粉体および粉末冶金. 第46巻第8号. 811-815 (1999)
Satoshi Sugiyama:“激光烧蚀法制备的ZnO/Pr_6O_<11>叠层薄膜的压敏电阻特性”《粉末与粉末冶金》,第46卷,第8期,811-815(1999)。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
杉山 聡: "レーザーアブレーション法により作製されたZnO/Pr_6O_<11>積層薄膜のバリスタ特性"粉体および粉末冶金. Vol.46・No.8. 811-815 (1999)
杉山聪:“激光烧蚀法制备的ZnO/Pr_6O_<11>叠层薄膜的压敏电阻特性”《粉末冶金》第46卷·第811-815号。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
Naoki Ikeda: "Dielectric Properties of Nb-Doped PbZrO_3 Thin Films Prepared by Pulsed Laser Deposition"Materials Transactions JIM. Vol.41 No.5. 589-592 (2000)
Naoki Ikeda:“脉冲激光沉积制备的 Nb 掺杂 PbZrO_3 薄膜的介电性能”Materials Transactions JIM。
- DOI:
- 发表时间:
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
- 通讯作者:
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
亀川 厚則其他文献
V系bcc固溶体型水素吸蔵合金の高容量化に関する材料設計指針
提高V基BCC固溶储氢合金容量的材料设计指南
- DOI:
- 发表时间:
2015 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
亀川 厚則; 岡田 益男 - 通讯作者:
岡田 益男
Zr置換された FCC YH3構造中の水素の安定性
Zr取代的FCC YH3结构中氢的稳定性
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
片岡 理樹;浅野 耕太;榊 浩司;橘田 晃宜;多田 幸平 ;林 繁信;治村 圭子;清林 哲;尾崎 弘幸;木村 通;竹市 信彦;亀川 厚則 - 通讯作者:
亀川 厚則
V系水素吸蔵合金の第二元素による熱力学パラメータ変化に関する研究
V基储氢合金中第二元素引起的热力学参数变化研究
- DOI:
- 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
木村 通;亀川 厚則 - 通讯作者:
亀川 厚則
亀川 厚則的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('亀川 厚則', 18)}}的其他基金
貴金属触媒を凌駕する超効率アンモニア合成の為の非貴金属/希土類水素化物触媒の開発
超越贵金属催化剂的超高效氨合成非贵金属/稀土氢化物催化剂的开发
- 批准号:
23K04412 - 财政年份:2023
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超高圧法による新規希土類系化合物の探索と主に水素吸蔵特性に関する高機能化
利用超高压方法寻找新型稀土化合物并以储氢性能为中心改进其功能
- 批准号:
17042007 - 财政年份:2005
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
高圧合成法によるH/Mが4を超えるアルカリ土類-7B遷移金属系水素化物の探索
高压合成法寻找H/M大于4的碱土7B过渡金属氢化物
- 批准号:
14750570 - 财政年份:2002
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
相似海外基金
Establishment of ESD Protection Device Modeling Technology for Immunity Improvement of Electronics Against ESD
建立ESD保护器件建模技术以提高电子器件的ESD抗扰度
- 批准号:
19K04930 - 财政年份:2019
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study on the composite varistor with epoxy resign and microvaristor
环氧树脂复合压敏电阻与微压敏电阻的研究
- 批准号:
26630114 - 财政年份:2014
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
有機FETおよび新規な有機電子デバイスの開発
有机FET和新型有机电子器件的开发
- 批准号:
08J06164 - 财政年份:2008
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
酸化亜鉛結晶粒界に特有な電子状態の解明および酸化亜鉛単一粒界デバイスの創成
阐明氧化锌晶界特有的电子态并创建氧化锌单晶界器件
- 批准号:
04J11469 - 财政年份:2004
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
DEVELOPMENT OF NOVEL THIN FILM VARISTORS BY CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION
化学溶液沉积法开发新型薄膜压敏电阻
- 批准号:
13450270 - 财政年份:2001
- 资助金额:
$ 1.41万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)