有機FETおよび新規な有機電子デバイスの開発

有机FET和新型有机电子器件的开发

基本信息

  • 批准号:
    08J06164
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 0.77万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2008
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2008 至 2009
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

昨年度より継続して研究を行っている含ホウ素有機半導体の研究において、可視光領域に吸収を持たない透明有機半導体の合成に成功した。これらの化合物を有機活性層に用いたFETデバイスを作製し、化合物の半導体特性を評価したところ、良好なp型半導体特性を示すことが明らかとなった。さらに、テトラアミノベンゼンとビフェニルボロン酸を脱水縮合して合成した化合物は、非常に高いHOMOエネルギーレベル(4.5eV)を有するにも関わらず、ボトムコンタクト型のOFETデバイスは、大気暴露20日後も良好なFET特性を示した。一方、トップコンタクト型のデバイスは大気安定性を示さなかった。ボトムコンタクトデバイスのXRD、AFM測定による薄膜評価の結果から、デバイスに蒸着された薄膜は非常に密にパッキングした膜を形成しており、酸素、水分から活性層が保護されることにより大気安定性が確保されていることが分かった。また、2009年5月~2010年3月の期間、米国、ワシントン大学、SamonA.Jenekhe教授の研究室において高分子有機半導体を用いた有機電界効果トランジスタ(OFETs)、有機薄膜太陽電池(OPVCs)の開発を行った。ワシントン大学では、含窒素複素環であるアントラゾリンユニットを有する可溶性ポリマーを合成し、これらのポリマーを有機活性層に用いたOFET、OPVCデバイス作製を行い、それらの特性評価を行った。また、これらのポリマーの溶解性を高めるため、ポリマーに分岐鎖アルキルの導入を行い、物性への影響を調べた。これらの研究の中で、OPVCデバイスを作製する際、アクセプター分子として用いるフラーレン誘導体PC_<71>BMがポリマー中できれいに分散し、良質の薄膜を形成することがデバイスの光電変換効率を高めるための重要な要因であり、ポリマーに付与するアルキル鎖は、この点で非常に重要な役割を担っていることが明らかとなった。
自去年以来一直进行持续研究的含硼的有机半导体的研究中,我们成功合成了在可见光区域未吸收的透明有机半导体。当制造使用这些化合物作为有机活性层并评估化合物的半导体特性的FET设备时,发现它们表现出良好的P型半导体特性。此外,通过脱水的四氨基苯和双苯基 - 伯烷酸合成的化合物具有很高的同型能水平(4.5 eV),但是即使经过20天的大气暴露,底部接触的ft触接触也表现出良好的fet性能。另一方面,顶部接触型设备没有表现出大气稳定性。使用XRD和AFM测量底部接触装置评估薄膜的结果表明,沉积在设备上的薄膜形成了非常紧密的膜,并且活性层受到保护层的氧气和水分,从而确保了大气稳定性。此外,从2009年5月到2010年3月,萨摩娜教授。美国华盛顿大学的Jenekhe的实验室使用聚合物有机半导体开发了有机田间效应晶体管(OFET)和有机薄膜太阳能电池(OPVC)。在华盛顿大学,合成了具有含氮杂环的蒽单元的可溶性聚合物,并使用这些聚合物作为有机活性层制造了OFET和OPVC设备,并评估了其特性。此外,为了提高这些聚合物的溶解度,将分支链烷基引入聚合物中,并检查了对物理特性的影响。在这些研究中,据透露,在准备OPVC设备时,将富勒烯衍生物PC_ <71> BM用作受体分子,将整齐地分散在聚合物中,并形成高质量的薄膜,并且在这方面起着非常重要的作用。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
新規な含ホウ素有機半導体材料の合成と物性
新型含硼有机半导体材料的合成及物理性能
  • DOI:
  • 发表时间:
    2008
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小島崇寛;西田純一;時任静士;山下敬郎
  • 通讯作者:
    山下敬郎
The First Organic Radical Compounds Exhibiting n-Type FET Properties
  • DOI:
    10.1246/cl.2009.112
  • 发表时间:
    2009-02
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.6
  • 作者:
    K. Aoki;H. Akutsu;J. Yamada;S. Nakatsuji;T. Kojima;Y. Yamashita
  • 通讯作者:
    K. Aoki;H. Akutsu;J. Yamada;S. Nakatsuji;T. Kojima;Y. Yamashita
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小島 崇寛其他文献

2ゾーン化学気相成長法を用いるアセン型GNRの表面合成
采用两区化学气相沉积法表面合成并苯型 GNR
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Zhen Xu;小島 崇寛;中江 隆博;坂口 浩司
  • 通讯作者:
    坂口 浩司
自己組織化が誘起するグラフェンナノリボンの2次元ネットワーク形成
自组装诱导石墨烯纳米带二维网络形成
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中江隆博;小島 崇寛;坂口浩司
  • 通讯作者:
    坂口浩司
トポロジカルエンジニアリングによるグラフェンナノリボンの合成とデバイス応用
拓扑工程石墨烯纳米带的合成及器件应用
  • DOI:
    10.7209/tanso.2021.95
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小島 崇寛;大西 臣禎;中江 隆博;坂口 浩司
  • 通讯作者:
    坂口 浩司
生体模倣型触媒作用による新規アセン型GNRの表面合成
利用仿生催化表面合成新型并苯型 GNR
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中江隆博;小島 崇寛;宋 少堂;坂口浩司
  • 通讯作者:
    坂口浩司
新規化学気相成長法によるsub-l nmグラフェンナノリボンの表面合成
使用新型化学气相沉积方法表面合成亚L纳米石墨烯纳米带
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    矢野真葵;平野 善崇;小島 崇寛;中江 隆博;坂口 浩司
  • 通讯作者:
    坂口 浩司

小島 崇寛的其他文献

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