刷新
Atomic structure elucidation and modulation for Al2O3/diamond interface
Al2O3/金刚石界面的原子结构阐明和调制
基本信息
- 批准号：22K14287
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2022
- 资助国家：日本
- 起止时间：2022-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
We focused on the Al2O3/diamond interface by modulating the pre-wet treatment times before the ALD process. We found that the sample without wet annealing treatment shows large Dit, in the order of 1012~1013 cm－2eV－1. Dit is reduced by one order of magnitude lower when wet annealing treatments were performed. Dit has no significant change with increasing wet annealing treatments. The sample with annealing for 3h shows lower Dit in the relatively deep energy position.
我们通过调节ALD过程之前的预湿处理时间来关注AL2O3/钻石界面。我们发现，未经湿退火处理的样品显示出大量DIT，速度为1012〜1013 cm-2ev-1。进行湿退火处理时，DIT减少了一个数量级。 DIT随着湿退火处理的增加没有显着变化。退火为3H的样品显示在相对深度能量位置下的较低DIT。
项目成果
期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Electrical characterization of Al2O3/diamond MOS interface under various wet-annealing times
不同湿法退火时间下Al2O3/金刚石MOS界面的电学特性
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：X. Zhang;T. Matsumoto ;M. Sometani;M. Ogura;T. Makino;D. Takeuchi; C.E. Nebel;T. Inokuma;S. Yamasaki;and N. Tokuda
- 通讯作者：and N. Tokuda
Impact of wet annealing treatments on Al2O3/diamond MOS interface
湿式退火处理对Al2O3/金刚石MOS界面的影响
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：X. Zhang;T. Matsumoto ;M. Sometani;M. Ogura;T. Makino;D. Takeuchi; C.E. Nebel;T. Inokuma;S. Yamasaki;and N. Tokuda
- 通讯作者：and N. Tokuda
Recent Progress in Electrical Characterization of Al2O3/Diamond Interface
Al2O3/金刚石界面电学表征的最新进展
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：X. Zhang;T. Matsumoto;M. Sometani;M. Ogura;T. Makino;D. Takeuchi; C.E. Nebel;T. Inokuma;S. Yamasaki;and N. Tokuda
- 通讯作者：and N. Tokuda
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
張 旭芳其他文献
On-the-flyチャージポンピング法によるSiC MOSFET 負バイアスストレス時の界面トラップ生成解析
使用动态电荷泵方法对 SiC MOSFET 负偏压期间的界面陷阱生成进行分析
- DOI：
- 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
岡本 大;染谷 満;坂田 大輝;張 旭芳;松谷 優汰;畠山 哲夫;岡本 光央;原田 信介;矢野 裕司;岩室 憲幸 - 通讯作者：
岩室 憲幸
張 旭芳的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似国自然基金
甲醇重整制氢Cu/CuAl2O4/Al2O3催化剂的界面结构调控
- 批准号：22362022
- 批准年份：2023
- 资助金额：32 万元
- 项目类别：地区科学基金项目
淀粉样原纤维-Al2O3陶瓷膜界面调控制备及回收钙钛矿电池中金属的机制研究
- 批准号：52300184
- 批准年份：2023
- 资助金额：30.00 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
大比表面积二维α-Al2O3纳米粉体的表/界面特性及组织稳定性研究
- 批准号：52104358
- 批准年份：2021
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于Al2O3/AlN叠栅结构的多晶面系SiC沟槽MOSFET的界面调控特性研究
- 批准号：
- 批准年份：2021
- 资助金额：30 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于Al2O3/AlN叠栅结构的多晶面系SiC沟槽MOSFET的界面调控特性研究
- 批准号：62104222
- 批准年份：2021
- 资助金额：24.00 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
Limiting factor elucidation of channel mobility in inversion-type p-channel diamond MOSFETs
反型 p 沟道金刚石 MOSFET 中沟道迁移率的限制因素阐明
- 批准号：
20K14773 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Study of InSb-related CMOS on Si substrate with surface reconstruction controled epitaxy
表面重构控制外延Si衬底上InSb相关CMOS的研究
- 批准号：
18H01496 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Control of insulator/InAlN interface using high-temperature annealed Al2O3 ultrathin layer and its application
高温退火Al2O3超薄层控制绝缘体/InAlN界面及其应用
- 批准号：
15K04672 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Study of InSb-CMOS on Si subustrate by using surface reconstruction controlled epitaxy
表面重构控制外延硅衬底InSb-CMOS研究
- 批准号：
25289099 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Control of Fermi level pinning at surfaces and interfaces of InAlN
InAlN 表面和界面费米能级钉扎的控制
- 批准号：
24560022 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)