Control of Fermi level pinning at surfaces and interfaces of InAlN

InAlN 表面和界面费米能级钉扎的控制

基本信息

批准号：
24560022
负责人：
AKAZAWA Masamichi
金额：
$ 3.49万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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Native Oxide Removal from InAlN Surfaces by Hydrofluoric Acid Based Treatment

通过氢氟酸处理去除 InAlN 表面的自然氧化物

DOI：
10.1587/transele.e96.c.686
发表时间：
2013
期刊：
IEICE Transactions on Electronics
影响因子：
0.5
作者：
飯田和貴;横田裕樹;夫恒範;金大貴;T. Nakano and M. Akazawa
通讯作者：
T. Nakano and M. Akazawa

Investigation of Native Oxide Layers on Untreated and Chemically Treated InAlN Surfaces by X-ray Photoelectron Spectroscopy

DOI：
10.1149/2.004201ssl
发表时间：
2012
期刊：
ECS Solid State Letters
影响因子：
0
作者：
M. Akazawa;T. Nakano
通讯作者：
M. Akazawa;T. Nakano

ALD-Al2O3 絶縁体層を有するInAlN MOS ダイオードの作製手順の検討

ALD-Al2O3绝缘层InAlN MOS二极管制作工艺研究

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
千葉勝仁;中野拓真;赤澤正道
通讯作者：
赤澤正道

Control of Al2O3/InAlN interface by two-step atomic layer deposition combined with high-temperature annealing

两步原子层沉积结合高温退火控制Al2O3/InAlN界面

DOI：
10.7567/jjap.53.04ef06
发表时间：
2014
期刊：
Jpn. J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
T. Nakano;M. Chiba;and M. Akazawa
通讯作者：
and M. Akazawa

Effect of hydrofluoric acid treatment on InAlN surfaces

氢氟酸处理对InAlN表面的影响

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
H. Miyake;F. Fukuyo;S. Ochiai;K. Hiramatsu;H. Yoshida;Y. Kobayashi;T. Nakano and M. Akazawa
通讯作者：
T. Nakano and M. Akazawa

DOI：
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16560288
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资助金额：
$ 3.49万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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09650375
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52375201
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项目类别：
面上项目

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批准号：
24H00308
财政年份：
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$ 3.49万
项目类别：
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资助金额：
$ 3.49万
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批准号：
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财政年份：
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资助金额：
$ 3.49万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

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批准号：
2331523
财政年份：
2024
资助金额：
$ 3.49万
项目类别：
Standard Grant

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