Formation of Pulsed Discharges in Molten Semiconductors and Their Application to Crystal Growth
熔融半导体中脉冲放电的形成及其在晶体生长中的应用
基本信息
- 批准号：26630368
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2014
- 资助国家：日本
- 起止时间：2014-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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