Challenge to a new growth technique to fabricate crystalline Si sheet on the melt by the aid of radiative cooling
挑战利用辐射冷却在熔体上制造晶体硅片的新生长技术
基本信息
- 批准号：25600084
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份：2013
- 资助国家：日本
- 起止时间：2013-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（6）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
How can we control adjacent dendrite crystals in parallel direction to realize high-quality multicrystalline Si ingot for solar cells?
如何控制相邻枝晶的平行方向，从而实现高质量的太阳能电池多晶硅锭？
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takuya Hiramatsu;Isao Takahashi;Noritaka Usami
- 通讯作者：Noritaka Usami
太陽電池用マルチスケールシリコン系結晶
太阳能电池用多尺度硅晶体
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：平松 巧也;高橋 勲;宇佐美 徳隆;Y. Furukawa;宇佐美 徳隆
- 通讯作者：宇佐美 徳隆
Calculation of temperature distribution for controlling growth of dendrite crystals to decrease dislocation density in a multicrystalline Silicon ingot
计算控制枝晶生长以降低多晶硅锭中位错密度的温度分布
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Takuya Hiramatsu;Isao Takahashi;Satoru Matsushima;Noritaka Usami
- 通讯作者：Noritaka Usami
次世代太陽電池創製に向けたマルチスケールシリコン系結晶
用于制造下一代太阳能电池的多尺度硅基晶体
- DOI：
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Y. Furukawa;G. Sazaki;K. Nagashima;H. Asakawa;E. Yokoyama;S. Zepeda;Y. Nishimura;宇佐美 徳隆
- 通讯作者：宇佐美 徳隆
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Development of crystal growth technology for architecture of microstructures in bulk multicrystals and its application to high-efficiency solar cells
块状多晶微结构晶体生长技术的发展及其在高效太阳能电池中的应用
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- 批准号：
15K21072 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
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