Spin injection to nanodiamond films

纳米金刚石薄膜的旋转注射

基本信息

批准号：
16K14391
负责人：
Yoshitake Tsuyoshi
金额：
$ 2.33万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
财政年份：
2016
资助国家：
日本
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-16K14391/
关键词：
ナノダイヤモンドスピンバルブスピン注入局所配置非局所配置スパッタリング同軸型アークプラズマ堆積法電子線リソグラフィー鉄シリサイドダイヤモンド磁気抵抗効果リソグラフィースピン拡散長カーボンカーボン材料ナノ材料

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（33）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Fabrication of spin valve junctions comprising Fe3Si/B-doped carbon/Fe trilayers

由 Fe3Si/B 掺杂的碳/Fe 三层组成的自旋阀结的制造

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Rezwan Ahmed;Kazuki Kudo;Satoshi Takeichi;Ken-ichiro Sakai;Masahiko Nishijima;Tsuyoshi Yoshitake;and Seigi Mizuno
通讯作者：
and Seigi Mizuno

Fe/boron-doped Ultrananocrystalline Diamond/Fe Trilayered Spin Valve Junctions

Fe/硼掺杂超纳米晶金刚石/Fe三层自旋阀结

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazuki Kudo;Satoshi Takeichi;Hirokazu Kishimoto;Ken-ichiro Sakai;Hiroyuki Deguchi;and Tsuyoshi Yoshitake
通讯作者：
and Tsuyoshi Yoshitake

Spin Valve Junctions Comprising Fe-Si Materials

包含 Fe-Si 材料的自旋阀接头

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tsuyoshi Yoshitake;Kazutoshi Nakashima;Kazuki Kudo;Kazuya Ishibashi;Yuki Asai;Ken-ichiro Sakai;and Hiroyuki Deguchi
通讯作者：
and Hiroyuki Deguchi

Temperature-Dependent Magnetoresistance Effects in Fe3Si/FeSi2/Fe3Si Trilayered Spin Valve Junctions

Fe3Si/FeSi2/Fe3Si 三层自旋阀结中与温度相关的磁阻效应

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kazuki Kudo;Kazuya Ishibashi;Kazutoshi Nakashima;Yuki Asai;Ken-ichiro Sakai;Hiroyuki Deguchi;and Tsuyoshi Yoshitake
通讯作者：
and Tsuyoshi Yoshitake

Film Structures of Fe/B-doped Carbon/Fe3Si Spin Valve Junctions

Fe/B 掺杂碳/Fe3Si 自旋阀结的薄膜结构

DOI：
10.7567/jjapcp.5.011502
发表时间：
2017
期刊：
JJAP Conference Proceedings
影响因子：
0
作者：
Kazuki Kudo;Kazutoshi Nakashima;Satoshi Takeichi;Rezwan Ahmed;Seigi Mizuno;Ken-ichiro Sakai;Masahiko Nishijima;and Tsuyoshi Yoshitake
通讯作者：
and Tsuyoshi Yoshitake

DOI：
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作者：
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Yoshitake Tsuyoshi其他文献

Enhanced in-plane uniformity and breakdown strength of diamond Schottky barrier diodes fabricated on heteroepitaxial substrates

增强异质外延基板上制造的金刚石肖特基势垒二极管的面内均匀性和击穿强度

DOI：
10.35848/1347-4065/abd537
发表时间：
2021
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Sittimart Phongsaphak;Ohmagari Shinya;Yoshitake Tsuyoshi
通讯作者：
Yoshitake Tsuyoshi

Hydrogenation effects on photoresponsivity in heterojunction diodes comprising p-type ultrananocrystalline diamond films and n-Si substrates

氢化对 p 型超纳米晶金刚石膜和 n-Si 衬底异质结二极管光响应性的影响

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
Takeichi Satoshi;Nishiyama Takashi;Tabara Mitsuru;Kawawaki Shuichi;Kohno Masamichi;Takahashi Koji;Yoshitake Tsuyoshi;Satoshi Takeichi;Satoshi Takeichi;Naofumi Nishikawa
通讯作者：
Naofumi Nishikawa

Ca2RuO4薄膜における電流誘起抵抗転移のRu欠損量依存性

Ca2RuO4 薄膜中电流诱导电阻转变的 Ru 缺乏量依赖性

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Sittimart Phongsaphak;Ohmagari Shinya;Matsumae Takashi;Umezawa Hitoshi;Yoshitake Tsuyoshi;福地厚，椿啓司，石田典輝，片瀬貴義，神谷利夫，有田正志，高橋庸夫
通讯作者：
福地厚，椿啓司，石田典輝，片瀬貴義，神谷利夫，有田正志，高橋庸夫

Impact of Laser‐Induced Graphitization on Diamond Schottky Barrier Diodes

激光诱导石墨化对金刚石肖特基势垒二极管的影响

DOI：
10.1002/pssa.202100846
发表时间：
2022
期刊：
physica status solidi (a)
影响因子：
0
作者：
Iwao Tomoki;Sittimart Phongsaphak;Yoshitake Tsuyoshi;Umezawa Hitoshi;Ohmagari Shinya
通讯作者：
Ohmagari Shinya

Electrical properties of boron-incorporated ultrananocrystalline diamond/hydrogenated amorphous carbon composite films

掺硼超纳米晶金刚石/氢化非晶碳复合薄膜的电学性能

DOI：
10.1007/s00339-019-2607-8
发表时间：
2019
期刊：
Applied Physics A
影响因子：
0
作者：
Katamune Yuki;Takeichi Satoshi;Ohtani Ryota;Koizumi Satoshi;Ikenaga Eiji;Kamitani Kazutaka;Sugiyama Takeharu;Yoshitake Tsuyoshi
通讯作者：
Yoshitake Tsuyoshi