Interface structure and in-plane spin transport in MnAs/III-V-based heterostructures on (111)B
(111)B 上 MnAs/III-V 基异质结构的界面结构和面内自旋输运
基本信息
- 批准号:18K04227
- 负责人:
- 金额:$ 2.91万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Anomalous Hall effect in MnAs: Intrinsic contribution due to Berry curvature
- DOI:10.1103/physrevb.103.134408
- 发表时间:2021-04-07
- 期刊:
- 影响因子:3.7
- 作者:Helman, C.;Camjayi, A.;Tortarolo, M.
- 通讯作者:Tortarolo, M.
Spin injection and detection in MnAs/GaAs/InAs hybrid system on GaAs(111)B through lateral non-local spin valve measurement at varied temperature
通过不同温度下的横向非局部自旋阀测量,GaAs(111)B 上的 MnAs/GaAs/InAs 混合系统中的自旋注入和检测
- DOI:10.1063/1.5126242
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:1.6
- 作者:Islam Md. Earul;Hayashida Kazuki;Akabori Masashi
- 通讯作者:Akabori Masashi
MATERIALS STUDY FOR SPIN FIELD EFFECT TRANSISTORS USING MOLECULAR BEAM EPITAXY
利用分子束外延技术研究自旋场效应晶体管的材料
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masashi Akabori;Md. Earul Islam;Dat Quoc Tran
- 通讯作者:Dat Quoc Tran
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Akabori Masashi其他文献
Turbostratic Stacking Effect in Multilayer Graphene on the Electrical Transport Properties
多层石墨烯中的乱层堆叠效应对电传输特性的影响
- DOI:
10.1002/pssb.201900437 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Negishi Ryota;Wei Chaopeng;Yao Yao;Ogawa Yui;Akabori Masashi;Kanai Yasushi;Matsumoto Kazuhiko;Taniyasu Yoshitaka;Kobayashi Yoshihiro - 通讯作者:
Kobayashi Yoshihiro
Turbostratic multilayer graphene synthesis on CVD graphene template toward improving electrical performance
CVD 石墨烯模板上的湍层多层石墨烯合成可提高电性能
- DOI:
10.7567/1347-4065/ab0c7b - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Wei Chaopeng;Negishi Ryota;Ogawa Yui;Akabori Masashi;Taniyasu Yoshitaka;Kobayashi Yoshihiro - 通讯作者:
Kobayashi Yoshihiro
Non-thermal liquid-to-solid Si conversion induced by electron beam irradiation
电子束辐照诱导的非热液-固硅转化
- DOI:
10.35848/1347-4065/abd9ce - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Mori Masahiro;Akabori Masashi;Tomitori Masahiko;Masuda Takashi - 通讯作者:
Masuda Takashi
Tailoring Magnetic Domains and Magnetization Switching in CoFe Nanolayer Patterns with Their Thickness and Aspect Ratio on GaAs (001) Substrate
利用 GaAs (001) 基板上的厚度和纵横比定制 CoFe 纳米层图案中的磁畴和磁化开关
- DOI:
10.1002/pssb.202100519 - 发表时间:
2022 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Teramoto Keigo;Horiguchi Ryoma;Dai Wei;Adachi Yusuke;Akabori Masashi;Hara Shinjiro - 通讯作者:
Hara Shinjiro
Microphysiological Systems Based on Microfluidic Device For Pharmacokinetic Studies
基于微流体装置的微生理系统用于药代动力学研究
- DOI:
- 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Chen Tongmin;Akabori Masashi;Oshima Yoshifumi;H. Kimura - 通讯作者:
H. Kimura
Akabori Masashi的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似国自然基金
离子束外延生长(Ga,Mn)As材料及性质研究
- 批准号:60176001
- 批准年份:2001
- 资助金额:23.0 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
縦型スピンデバイスに向けた(111)B上MnAs/III-V/MnAsヘテロ構造
用于垂直自旋器件的 (111)B 上的 MnAs/III-V/MnAs 异质结构
- 批准号:
21K04173 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Spin devices having InAs nanowire / ferromagnetic metal hybrid structures formed by selective-area growth
具有通过选择性区域生长形成的InAs纳米线/铁磁金属混合结构的自旋器件
- 批准号:
24560368 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.91万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)