Creation of semiconductor surfaces by catalytic tools loaded with atomically controlled graphene

通过装载原子控制石墨烯的催化工具创建半导体表面

基本信息

  • 批准号:
    16K14133
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.33万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-04-01 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(10)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
洗浄技術のコツ --Si表面のウェット洗浄
清洗技术技巧——硅表面湿法清洗
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    鈴木 直彦;森本 喜隆;金子 義幸;廣崎 憲一;岡崎 祐一;有馬健太
  • 通讯作者:
    有馬健太
HOPG 基板上に形成したヒドラジン還元グラフェンナノシートの原子レベル構造観察
HOPG基底上形成的肼还原石墨烯纳米片的原子级结构观察
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    李韶賢;平野智暉;川合健太郎;山村和也;有馬健太
  • 通讯作者:
    有馬健太
Observations of chemically reduced graphene oxide on atomic scale by scanning tunneling microscopy
通过扫描隧道显微镜在原子尺度上观察化学还原氧化石墨烯
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    李韶賢;平野智暉;川合健太郎;山村和也;有馬健太
  • 通讯作者:
    有馬健太
Carbon Overlayer on 4H-SiC Surfaces by Plasma Oxidation at near Room Temperature Followed by Wet Etching
在近室温下通过等离子体氧化和湿法蚀刻在 4H-SiC 表面形成碳覆盖层
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Hosoo;R. Ito;K. Kawai;Y. Sano;M. Morita and K. Arima
  • 通讯作者:
    M. Morita and K. Arima
Reactivity of Water Vapor with Ultrathin GeO2/Ge and SiO2/Si Structures Investigated by Near-Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy
近常压 X 射线光电子能谱研究水蒸气与超薄 GeO2/Ge 和 SiO2/Si 结构的反应性
  • DOI:
    10.1149/08002.0131ecst
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Arima Kenta;Hosoi Takuji;Watanabe Heiji;Crumlin Ethan J
  • 通讯作者:
    Crumlin Ethan J
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Effects of polishing pressure and sliding speed on the material removal mechanism of single crystal diamond in plasma-assisted polishing
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    Liu Nian;Sugimoto Kentaro;Yoshitaka Naoya;Yamada Hideaki;Sun Rongyan;Kawai Kentaro;Arima Kenta;Yamamura Kazuya
  • 通讯作者:
    Yamamura Kazuya
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    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
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  • 作者:
    Sun Rongyan;Nozoe Atsunori;Nagahashi Junji;Arima Kenta;Kawai Kentaro;Yamamura Kazuya
  • 通讯作者:
    Yamamura Kazuya

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  • 作者:
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    2020
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    $ 2.33万
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    2020
  • 资助金额:
    $ 2.33万
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    2019
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    $ 2.33万
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