Formation of graphene with low density of defects by plasma-assisted anneal on flat SiC(0001) surfaces
通过等离子体辅助退火在平坦的 SiC(0001) 表面上形成低缺陷密度石墨烯
基本信息
- 批准号：15H03902
- 负责人：
- 金额：$ 10.65万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Atomic-Scale Analysis of Semiconductor Surfaces after Wet-Chemical Treatments Such as Cleaning and Polishing
清洁和抛光等湿化学处理后半导体表面的原子尺度分析
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kenta Arima;Kentaro Kawai and Mizuho Morita
- 通讯作者：Kentaro Kawai and Mizuho Morita
洗浄技術のコツ --Si表面のウェット洗浄
清洗技术技巧——硅表面湿法清洗
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：鈴木 直彦;森本 喜隆;金子 義幸;廣崎 憲一;岡崎 祐一;有馬健太
- 通讯作者：有馬健太
Chemical etching of a semiconductor surface assisted by single sheets of reduced graphene oxide
- DOI：10.1016/j.carbon.2017.11.053
- 发表时间：2018-02
- 期刊：
- 影响因子：10.9
- 作者：Tomoki Hirano;Kazuki Nakade;Shaoxian Li;K. Kawai;Kenta Arima
- 通讯作者：Tomoki Hirano;Kazuki Nakade;Shaoxian Li;K. Kawai;Kenta Arima
Ion Segregation in Deliquesced Droplets of Alkali Halide Nanocrystals on SiO2 Approached by both Surface Science Techniques and Electrical Characteristics
通过表面科学技术和电学特性研究 SiO2 上碱金属卤化物纳米晶潮解液滴中的离子偏析
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Kenta Arima;Yoshie Kawai;Kentaro Kawai and Mizuho Morita
- 通讯作者：Kentaro Kawai and Mizuho Morita
Enhanced Etching of Ge Surfaces in Water by Single Flakes of Graphene Catalysts
单片石墨烯催化剂对水中 Ge 表面的增强蚀刻
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：K. Nakade;T. Hirano;S. Li;K. Kawai;M. Morita and K. Arima
- 通讯作者：M. Morita and K. Arima
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Arima Kenta其他文献
Formation of Etch Pits on Germanium Surfaces Loaded with Reduced Graphene Oxide in Water
水中负载还原氧化石墨烯的锗表面蚀刻坑的形成
- DOI：10.1149/07704.0127ecst10.1149/07704.0127ecst
- 发表时间：20172017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Nakade Kazuki;Hirano Tomoki;Li Shaoxian;Saito Yusuke;Mori Daichi;Morita Mizuho;Kawai Kentaro;Arima KentaNakade Kazuki;Hirano Tomoki;Li Shaoxian;Saito Yusuke;Mori Daichi;Morita Mizuho;Kawai Kentaro;Arima Kenta
- 通讯作者：Arima KentaArima Kenta
Reactivity of Water Vapor with Ultrathin GeO2/Ge and SiO2/Si Structures Investigated by Near-Ambient-Pressure X-ray Photoelectron Spectroscopy
近常压 X 射线光电子能谱研究水蒸气与超薄 GeO2/Ge 和 SiO2/Si 结构的反应性
- DOI：10.1149/08002.0131ecst10.1149/08002.0131ecst
- 发表时间：20172017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Arima Kenta;Hosoi Takuji;Watanabe Heiji;Crumlin Ethan JArima Kenta;Hosoi Takuji;Watanabe Heiji;Crumlin Ethan J
- 通讯作者：Crumlin Ethan JCrumlin Ethan J
Effects of polishing pressure and sliding speed on the material removal mechanism of single crystal diamond in plasma-assisted polishing
等离子辅助抛光中抛光压力和滑动速度对单晶金刚石材料去除机理的影响
- DOI：10.1016/j.diamond.2022.10889910.1016/j.diamond.2022.108899
- 发表时间：20222022
- 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：Liu Nian;Sugimoto Kentaro;Yoshitaka Naoya;Yamada Hideaki;Sun Rongyan;Kawai Kentaro;Arima Kenta;Yamamura KazuyaLiu Nian;Sugimoto Kentaro;Yoshitaka Naoya;Yamada Hideaki;Sun Rongyan;Kawai Kentaro;Arima Kenta;Yamamura Kazuya
- 通讯作者：Yamamura KazuyaYamamura Kazuya
Novel highly-efficient and dress-free polishing technique with plasma-assisted surface modification and dressing
新型高效免修整抛光技术，采用等离子体辅助表面改性和修整
- DOI：10.1016/j.precisioneng.2021.05.00310.1016/j.precisioneng.2021.05.003
- 发表时间：20212021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Sun Rongyan;Nozoe Atsunori;Nagahashi Junji;Arima Kenta;Kawai Kentaro;Yamamura KazuyaSun Rongyan;Nozoe Atsunori;Nagahashi Junji;Arima Kenta;Kawai Kentaro;Yamamura Kazuya
- 通讯作者：Yamamura KazuyaYamamura Kazuya
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Arima Kenta的其他基金
Innovative formation of H-terminated Si atomic sheets by atomically controlled wet science
通过原子控制湿科学创新形成氢端硅原子片
- 批准号：19H0247819H02478
- 财政年份：2019
- 资助金额：$ 10.65万$ 10.65万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Challenge to create catalytic tool without any metallic elements
挑战创造不含任何金属元素的催化工具
- 批准号：18K1880818K18808
- 财政年份：2018
- 资助金额：$ 10.65万$ 10.65万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Creation of semiconductor surfaces by catalytic tools loaded with atomically controlled graphene
通过装载原子控制石墨烯的催化工具创建半导体表面
- 批准号：16K1413316K14133
- 财政年份：2016
- 资助金额：$ 10.65万$ 10.65万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory ResearchGrant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
相似海外基金
短・超短パルスレーザ時空間ビームシェイピング技術開発と微細加工への応用
短/超短脉冲激光时空光束整形技术发展及其在微加工中的应用
- 批准号：15J1055615J10556
- 财政年份：2015
- 资助金额：$ 10.65万$ 10.65万
- 项目类别：Grant-in-Aid for JSPS FellowsGrant-in-Aid for JSPS Fellows
Graphene growth on ultraflat SiC surfaces assisted by preferential etching of surface Si atoms
表面硅原子优先蚀刻辅助超平坦碳化硅表面石墨烯生长
- 批准号：2465610124656101
- 财政年份：2012
- 资助金额：$ 10.65万$ 10.65万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Exploratory ResearchGrant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
A diamond thin film growth on SiC buffer layer on a Si substrate
Si 衬底上 SiC 缓冲层上生长金刚石薄膜
- 批准号：2156033421560334
- 财政年份：2009
- 资助金额：$ 10.65万$ 10.65万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
誘導結合型プラズマによるシリコンカーバイド合成中の反応解析
使用感应耦合等离子体合成碳化硅期间的反应分析
- 批准号：00J1051100J10511
- 财政年份：2000
- 资助金额：$ 10.65万$ 10.65万
- 项目类别：Grant-in-Aid for JSPS FellowsGrant-in-Aid for JSPS Fellows
プラズマCVD法による平坦膜の作製と広帯域積層形偏光分離素子への応用
等离子体CVD法制备平面薄膜及其在宽带堆叠偏振分光器件中的应用
- 批准号：0775039707750397
- 财政年份：1995
- 资助金额：$ 10.65万$ 10.65万
- 项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)