A diamond thin film growth on SiC buffer layer on a Si substrate
Si 衬底上 SiC 缓冲层上生长金刚石薄膜
基本信息
- 批准号：21560334
- 负责人：
- 金额：$ 3万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2009
- 资助国家：日本
- 起止时间：2009 至 2011
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
The purpose of this research is to use low cost Si substrate for fabricating future power devices using nanocrystalline diamond (NCD) on SiC/Si substrate. We have succeeded in fabricating pn diode using n-type NCD film on a SiC film grown on p-type Si substrate.
本研究的目的是使用低成本的 Si 基板，在 SiC/Si 基板上使用纳米晶金刚石 (NCD) 制造未来的功率器件。我们已经成功地在 p 型 Si 衬底上生长的 SiC 薄膜上使用 n 型 NCD 薄膜制造了 pn 二极管。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
半導体基板上へのナノダイヤモンド成膜とダイオード特性に関する研究
半导体衬底上纳米金刚石成膜及二极管特性研究
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M.K.Ahmad;K.Murakami;天野僚 ,五 島正基,加藤喜峰,堤井君元
- 通讯作者：天野僚 ,五 島正基,加藤喜峰,堤井君元
SiC and nanocrystalline diamond coating on Si substrates fabricated by microwave plasma CVD
微波等离子体 CVD 在硅基体上制备碳化硅和纳米晶金刚石涂层
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Yoshimine Kato;etc.
- 通讯作者：etc.
Growth and electrical properties of 3C-SiC/nanocrystalline diamond layered films
3C-SiC/纳米晶金刚石层状薄膜的生长和电学性能
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Akira KOGA;Kungen TEII;Masaki GOTO;Kazuhiro YAMADA;and Yoshimine KATO
- 通讯作者：and Yoshimine KATO
p型4H‐SiC／n型ナノクリスタルダイヤモンド ダイオードの高温動作
p型4H-SiC/n型纳米晶金刚石二极管的高温工作
- DOI：
- 发表时间：
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：天野 僚，五島 正基，下田尚孝;加藤 喜峰，堤井 君元
- 通讯作者：加藤 喜峰，堤井 君元
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- 影响因子：0
- 作者：
LI Yan;KATO Yoshimine - 通讯作者：
KATO Yoshimine
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