Research on high performance flexible thermoelectric device focusing on heat transport in amorphous oxide semiconductor

以非晶氧化物半导体热传输为重点的高性能柔性热电器件研究

基本信息

批准号：
19H02601
负责人：
Uraoka Yukiharu
金额：
$ 11.15万
依托单位：
Nara Institute of Science and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（23）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Continuous-Wave Laser Lateral Crystallization of A-Si Thin Films on Polyimide Using a Heatsink Layer Embedded in the Buffer SiO2

使用嵌入缓冲 SiO2 中的散热层对聚酰亚胺上的 A-Si 薄膜进行连续波激光横向结晶

DOI：
10.1007/s11664-021-08751-9
发表时间：
2021
期刊：
Journal of ELECTRONIC MATERIALS
影响因子：
2.1
作者：
Nobuo Sasaki;Muhammad Arif;Yukiharu Uraoka;Jun Gotoh;Shigeto Sugimoto
通讯作者：
Shigeto Sugimoto

Development of High-Reliability and -Stability Chemical Sensors Based on an Extended-Gate Type Amorphous Oxide Semiconductor Thin-Film Transistor

DOI：
10.1021/acsaelm.9b00844
发表时间：
2020-02
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuki Hashima;Takanori Takahashi;Y. Ishikawa;Y. Uraoka
通讯作者：
Yuki Hashima;Takanori Takahashi;Y. Ishikawa;Y. Uraoka

Optimizing the thermoelectric performance of InGaZnO thin films depending on crystallinity via hydrogen incorporation

DOI：
10.1016/j.apsusc.2020.146791
发表时间：
2020-10-15
期刊：
APPLIED SURFACE SCIENCE
影响因子：
6.7
作者：
Felizco, Jenichi Clairvaux;Uenuma, Mutsunori;Uraoka, Yukiharu
通讯作者：
Uraoka, Yukiharu

Film TEG with Controlled Heat Flow

具有受控热流的薄膜 TEG

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Mutsunori Uenuma;Yukiharu Uraoka
通讯作者：
Yukiharu Uraoka

Insulator-to-semiconductor conversion of solution-processed ultra-wide bandgap amorphous gallium oxide via hydrogen annealing

通过氢退火将溶液处理的超宽带隙非晶氧化镓从绝缘体转变为半导体

DOI：
10.35848/1882-0786/ac466a
发表时间：
2022
期刊：
Applied Physics Express
影响因子：
2.3
作者：
Diki Purnawati;Juan Paolo Bermundo;and Yukiharu Uraoka
通讯作者：
and Yukiharu Uraoka

DOI：
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作者：
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Uraoka Yukiharu其他文献

社会的インタラクション時における乳児の視線と脳反応

婴儿在社交互动过程中的目光和大脑反应

DOI：
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
0
作者：
Jallorina Michael Paul A.;Bermundo Juan Paolo S.;Fujii Mami N.;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu;白野陽子，皆川泰代
通讯作者：
白野陽子，皆川泰代

Degradation Due to Photo-Induced Electron in Top-Gate In-Ga-Zn-O Thin Film Transistors With n- Region Under Negative Bias Stress and Light Irradiation

负偏压和光照射下 n 区顶栅 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管中光生电子引起的退化

DOI：
10.1109/led.2023.3258960
发表时间：
2023
期刊：
IEEE Electron Device Letters
影响因子：
4.9
作者：
Takeda Yujiro;Takahashi Takanori;Miyanaga Ryoko;Bermundo Juan Paolo S.;Uraoka Yukiharu
通讯作者：
Uraoka Yukiharu

エタンおよびプロパン酸化的脱水素反応におけるM-V複合酸化物(M = Nb, Mo, W)の触媒活性比較および活性サイトの考察

M-V复合氧化物（M=Nb、Mo、W）在乙烷和丙烷氧化脱氢反应中的催化活性比较及活性位点讨论

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Taniguchi Tatsuhiko;Ishibe Takafumi;Hosoda Ryoya;Wagatsuma Youya;Alam Md. Mahfuz;Sawano Kentarou;Uenuma Mutsunori;Uraoka Yukiharu;Yamashita Yuichiro;Mori Nobuya;Nakamura Yoshiaki;下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉
通讯作者：
下田光祐・宮沢真維・松本克也・松元陸・石川理史・上田渉

Bias stress and humidity exposure of amorphous InGaZnO thin-film transistors with atomic layer deposited Al2O3 passivation using dimethylaluminum hydride at 200 °C

使用二甲基氢化铝在 200 °C 下原子层沉积 Al2O3 钝化的非晶 InGaZnO 薄膜晶体管的偏置应力和湿度暴露

DOI：
10.1088/1361-6463/ab6e97
发表时间：
2020
期刊：
Journal of Physics D: Applied Physics
影响因子：
0
作者：
Corsino Dianne C;Bermundo Juan Paolo S;Fujii Mami N;Takahashi Kiyoshi;Ishikawa Yasuaki;Uraoka Yukiharu
通讯作者：
Uraoka Yukiharu

Evaluation of stress stabilities in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors: Effect of passivation with Si-based resin

非晶 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管的应力稳定性评估：硅基树脂钝化效果

DOI：
10.7567/jjap.57.02cb06
发表时间：
2017
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
Ochi Mototaka;Hino Aya;Goto Hiroshi;Hayashi Kazushi;Fujii Mami N.;Uraoka Yukiharu;Kugimiya Toshihiro
通讯作者：
Kugimiya Toshihiro