Direct bonding of widegap semiconductors and diamond for high-efficiency devices and investigation of bonding interface characteristics
宽带隙半导体与金刚石的高效器件直接键合及键合界面特性研究
基本信息
- 批准号：18K19034
- 负责人：
- 金额：$ 3.99万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2018
- 资助国家：日本
- 起止时间：2018-06-29 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（24）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Direct Bonding of GaN and Diamond Without an Intermediate Layer at Room Temperature
室温下无需中间层即可直接键合 GaN 和金刚石
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Jianbo Liang;Makoto Kasu;Martin Kuball and Naoteru Shigekawa
- 通讯作者：Martin Kuball and Naoteru Shigekawa
Characterization of Nanoscopic Cu/Diamond Interfaces Prepared by Surface-Activated Bonding: Implications for Thermal Management
- DOI：10.1021/acsanm.9b02558
- 发表时间：2020-02
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Jianbo Liang;Y. Ohno;Yuichiro Yamashita;Y. Shimizu;Shinji Kanda;N. Kamiuchi;Seong-Woo Kim;Koyama Koji;Y. Nagai;M. Kasu;N. Shigekawa
- 通讯作者：Jianbo Liang;Y. Ohno;Yuichiro Yamashita;Y. Shimizu;Shinji Kanda;N. Kamiuchi;Seong-Woo Kim;Koyama Koji;Y. Nagai;M. Kasu;N. Shigekawa
高出力デバイス応用に向けたGaAs/Diamond直接接合の作製
用于高功率器件应用的 GaAs/金刚石直接结的制造
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中村 祐志;桝谷 聡士;嘉数 誠;重川 直輝;梁 剣波
- 通讯作者：梁 剣波
Effect of annealing temperature on diamond/Si interfacial structure
退火温度对金刚石/Si界面结构的影响
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：J. Liang;Y. Zhou;S. Masuya ; F. Gucmann;M. Singh;J. Pomeroy;S. Kim;M. Kuball;M. Kasu;N. Shigekawa
- 通讯作者：N. Shigekawa
Annealing effect of surface-activated bonded diamond/Si interface
- DOI：10.1016/j.diamond.2019.02.015
- 发表时间：2019-03-01
- 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：Liang, Jianbo;Zhou, Yan;Shigekawa, Naoteru
- 通讯作者：Shigekawa, Naoteru
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Shigekawa Naoteru其他文献
Variation in atomistic structure due to annealing at diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding
通过表面活化键合制造的金刚石/硅异质界面由于退火而导致原子结构的变化
- DOI：
10.35848/1347-4065/ac5d11 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Ohno Yutaka;Liang Jianbo;Yoshida Hideto;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru - 通讯作者：
Shigekawa Naoteru
Electrical properties of Si/diamond heterojunction diodes fabricated by using surface activated bonding
表面活性键合制备的硅/金刚石异质结二极管的电性能
- DOI：
10.1016/j.diamond.2022.109425 - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：4.1
- 作者：
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Shigekawa Naoteru
Artifacts in the structural analysis of SAB-fabricated interfaces by using focused ion beam
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- DOI：
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2019 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ohno Yutaka;Yoshida Hideto;Kamiuchi Naoto;Aso Ryotaro;Takeda Seiji;Shimizu Yasuo;Ebisawa Naoki;Nagai Yasuyoshi;Liang Jianbo;Shigekawa Naoteru - 通讯作者：
Shigekawa Naoteru
Fabrication of β-Ga2O3/Si heterointerface and characterization of interfacial structures for high power device applications
高功率器件应用的 β-Ga2O3/Si 异质界面的制备和界面结构的表征
- DOI：
10.35848/1347-4065/ac4c6c - 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Liang Jianbo;Takatsuki Daiki;Higashiwaki Masataka;Shimizu Yasuo;Ohno Yutaka;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru - 通讯作者：
Shigekawa Naoteru
Structural analysis of diamond/silicon heterointerfaces fabricated by surface activated bonding at room temperature
室温下表面活化键合制备的金刚石/硅异质界面的结构分析
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Ohno Yutaka;Liang Jianbo;Yoshida Hideto;Shimizu Yasuo;Nagai Yasuyoshi;Shigekawa Naoteru - 通讯作者：
Shigekawa Naoteru
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Post-process control of PV characteristics using wavelength conversion properties of semiconductor nano-particles
利用半导体纳米颗粒的波长转换特性对光伏特性进行后处理控制
- 批准号：
17H03538 - 财政年份：2017
- 资助金额：
$ 3.99万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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- 资助金额：
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Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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$ 3.99万 - 项目类别：
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- 资助金额：
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键合工程描述符的开发及其在宽禁带半导体晶体生长中的应用
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