Development of a New Silicon X-ray Sensor with Both Wide Dynamic Range and High Sensitivity
新型宽动态范围高灵敏度硅X射线传感器的研制
基本信息
- 批准号:18K04285
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Modulation transfer function analysis of silicon X-ray sensor with trench-structured photodiodes
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- DOI:10.1587/elex.15.20180177
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0.8
- 作者:Tetsuya Ariyoshi;Jumpei Iwasa;Yuta Takane;Kenji Sakamoto;Akiyoshi Baba;and Yutaka Arima
- 通讯作者:and Yutaka Arima
Response Properties of Silicon Trench Photodiodes to Single α- and γ-Ray in Pulse Mode
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- DOI:10.1109/access.2022.3177624
- 发表时间:2022
- 期刊:
- 影响因子:3.9
- 作者:Toru Mizuki;Rikako Saito;Keisuke Hirata;Sheikh Mohamed Mohamed;Yoshikata Nakajima;Toru Maekawa;Ariyoshi Tetsuya
- 通讯作者:Ariyoshi Tetsuya
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