Evaluation and improvement of physical properties of IGZO flexible semiconductors prepared by solution method
溶液法制备IGZO柔性半导体物理性能评价及改进
基本信息
- 批准号:17K18177
- 负责人:
- 金额:$ 2.75万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2017
- 资助国家:日本
- 起止时间:2017-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Effects of ultraviolet photon irradiation and subsequent thermal treatments on solution-processed amorphous indium gallium zinc oxide thin films
- DOI:10.1063/1.5049618
- 发表时间:2018-11
- 期刊:
- 影响因子:1.6
- 作者:Y. Takamori;Takaaki Morimoto;Nobuko Fukuda;Y. Ohki
- 通讯作者:Y. Takamori;Takaaki Morimoto;Nobuko Fukuda;Y. Ohki
Effects of UV Irradiation and Annealing on the Oxygen Vacancies in Solution-processed IGZO Thin Films
紫外照射和退火对溶液加工 IGZO 薄膜中氧空位的影响
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Yuki Takamori;Takaaki Morimoto;Nobuko Fukuda;and Yoshimichi Ohki
- 通讯作者:and Yoshimichi Ohki
溶液法IGZO薄膜の組成比と焼成温度が電気特性に与える影響
成分比和烧成温度对溶液法IGZO薄膜电性能的影响
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Uetani Kojiro;Izakura Shogo;Kasuga Takaaki;Koga Hirotaka;Nogi Masaya;大竹光寿;Tomohito Baji;森本貴明,大木義路;波多江悟史;青山晋也;大竹光寿;森本貴明,楊宜橙,福田伸子,大木義路
- 通讯作者:森本貴明,楊宜橙,福田伸子,大木義路
Degradation of transfer characteristics of solution-processed IGZO thin-film transistors by UV irradiation and its recovery by heat treatment
溶液处理的 IGZO 薄膜晶体管传输特性因紫外线照射而降低及其通过热处理的恢复
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Takaaki Morimoto;Yuki Takamori;Nobuko Fukuda;and Yoshimichi Ohki
- 通讯作者:and Yoshimichi Ohki
溶液法IGZO薄膜におけるGa比率がバンド構造に与える影響
Ga 比例对溶液加工 IGZO 薄膜能带结构的影响
- DOI:
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Uetani;K.;Izakura;S.,Kasuga;T.;Koga;H.;Nogi;M.;落合祐輔,森本貴明,福田伸子,大木義路
- 通讯作者:落合祐輔,森本貴明,福田伸子,大木義路
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- 影响因子:0
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- 影响因子:0
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- 影响因子:0
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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- 发表时间:
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- 影响因子:0
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