Research of high sensitivity X-ray sensor for low radiation dose X-ray CT using side X-ray irradiation method

侧面X射线照射法低辐射剂量X射线CT高灵敏度X射线传感器研究

基本信息

  • 批准号：
    26390104
  • 负责人：
    Ariyoshi Tetsuya
  • 金额：
    $ 3.16万
  • 依托单位：
    Kyushu Institute of Technology
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）
X-ray-to-current signal conversion characteristics of trench-structured photodiodes for direct-conversion-type silicon X-ray sensor
  • DOI：
    10.7567/jjap.56.04ch06
  • 发表时间：
    2017-02
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    T. Ariyoshi;S. Funaki;K. Sakamoto;A. Baba;Y. Arima
  • 通讯作者：
    T. Ariyoshi;S. Funaki;K. Sakamoto;A. Baba;Y. Arima
Sensitivity Properties of a Direct Conversion Silicon X-ray Sensor with Trench-Structured Photodiodes
沟槽结构光电二极管直接转换硅X射线传感器的灵敏度特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    T.Ariyoshi;S.Funaki;K.Sakamoto;A.Baba;and Y.Arima
  • 通讯作者：
    and Y.Arima
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Ariyoshi Tetsuya其他文献

Response Properties of Silicon Trench Photodiodes to Single α- and γ-Ray in Pulse Mode
硅沟槽光电二极管在脉冲模式下对单α射线和γ射线的响应特性
  • DOI：
    10.1109/access.2022.3177624
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
    IEEE Access
  • 影响因子：
    3.9
  • 作者：
    Toru Mizuki;Rikako Saito;Keisuke Hirata;Sheikh Mohamed Mohamed;Yoshikata Nakajima;Toru Maekawa;Ariyoshi Tetsuya
  • 通讯作者：
    Ariyoshi Tetsuya

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  • 发表时间：
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  • 作者：
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Development of a New Silicon X-ray Sensor with Both Wide Dynamic Range and High Sensitivity
新型宽动态范围高灵敏度硅X射线传感器的研制
  • 批准号：
    18K04285
  • 财政年份：
    2018
  • 资助金额：
    $ 3.16万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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