Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications

Si/III-V异质结垂直隧道场效应管及其三维集成电路应用研究

基本信息

批准号：
19H02184
负责人：
Tomioka Katsuhiro
金额：
$ 11.32万
依托单位：
Hokkaido University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（62）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Scaling effect on vertical gate-all-around FETs using III-V NW-channels on Si

使用 Si 上的 III-V NW 沟道对垂直环栅 FET 的缩放效应

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Katsuhiro Tomioka;Junichi Motohisa
通讯作者：
Junichi Motohisa

InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製

使用 InGaAs 核多壳纳米线/Si 结制造垂直栅全向隧道 FET

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
冨岡克広;蒲生浩憲;本久順一;福井孝志
通讯作者：
福井孝志

Demonstration of InP/InAsP/InP axial heterostructure nanowire array vertical LEDs

InP/InAsP/InP 轴向异质结构纳米线阵列垂直 LED 演示

DOI：
10.1088/1361-6528/ab9bd2
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
3.5
作者：
Akamatsu Tomoya;Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi
通讯作者：
Motohisa Junichi

(Invited) Integration of III-V Nanowire on Si and Their Device Application

（特邀）III-V族纳米线在Si上的集成及其器件应用

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Katsuhiro Tomioka; Hironori Gamo;Junichi Motohisa
通讯作者：
Junichi Motohisa

InPナノワイヤの接合構造と発光ダイオード特性の関係

InP纳米线结结构与发光二极管特性的关系

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
木村峻;勝見悠;蒲生浩憲;本久順一;冨岡克広
通讯作者：
冨岡克広

DOI：
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作者：
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Rational synthesis of atomically thin quantum structures in nanowires based on nucleation processes

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DOI：
10.1038/s41598-020-67625-y
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
4.6
作者：
Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
通讯作者：
Fukui Takashi

Vertical Gate-All-Around Tunnel FETs Using InGaAs Nanowire/Si with Core-Multishell Structure

采用具有核-多壳结构的 InGaAs 纳米线/Si 的垂直栅极全环绕隧道 FET

DOI：
10.1109/iedm13553.2020.9371991
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tomioka Katsuhiro;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
通讯作者：
Fukui Takashi

Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition

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发表时间：
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作者：
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通讯作者：
Tomioka Katsuhiro

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基于成核过程的纳米线原子薄量子结构的合理合成

DOI：
10.1038/s41598-020-67625-y
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
4.6
作者：
Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi;Fukui Takashi
通讯作者：
Fukui Takashi

Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition

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DOI：
10.35848/1347-4065/aca985
发表时间：
2022
期刊：
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1.5
作者：
Azuma Yuki;Kimura Shun;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
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批准号：
19K21951
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批准号：
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