Demonstration of ultrafast resonant tunneling transistor

超快谐振隧道晶体管演示

基本信息

  • 批准号：
    19K21951
  • 负责人：
    Tomioka Katsuhiro
  • 金额：
    $ 4.16万
  • 依托单位：
    Hokkaido University
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
  • 财政年份：
    2019
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2019-06-28 至 2022-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（52）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
InP Crystal Phase Heterojunction Transistor with a Vertical Gate-All-Around Structure.
具有垂直环栅结构的InP晶相异质结晶体管。
  • DOI：
    10.1021/acsami.4c00147
  • 发表时间：
    2024-05-31
  • 期刊：
    ACS applied materials & interfaces
  • 影响因子：
    9.5
  • 作者：
    Yu Katsumi;H. Gamo;J. Motohisa;K. Tomioka
  • 通讯作者：
    K. Tomioka
InPナノワイヤサラウンディングゲートトランジスタのスイッチング特性評価
InP纳米线围栅晶体管的开关特性评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    勝見 悠;蒲生 浩憲;本久 順一;冨岡 克広
  • 通讯作者：
    冨岡 克広
Research map
研究地图
  • DOI：
  • 发表时间：
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
  • 通讯作者：
（招待講演） InGaAsコアマルチシェルナノワイヤ/Si接合による垂直ゲートオールアラウンドトンネルFETの作製
（特邀报告）利用InGaAs核多壳纳米线/Si结制造垂直栅全包围隧道FET
  • DOI：
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    冨岡 克広;蒲生 浩憲;本久 順一;福井 孝志
  • 通讯作者：
    福井 孝志
ナノワイヤ縦型共鳴トンネル電界効果トランジスタの試作
纳米线垂直谐振隧道场效应晶体管原型
  • DOI：
  • 发表时间：
    2022
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    田井 良樹;蒲生 浩憲;本久 順一;冨岡 克広
  • 通讯作者：
    冨岡 克広
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  • 发表时间：
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  • 通讯作者：
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Current injection and luminescence properties of wurtzite InP nanowires with crystal phase transition
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  • 期刊：
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  • 作者：
    Azuma Yuki;Kimura Shun;Gamo Hironori;Motohisa Junichi;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者：
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    Motohisa Junichi;Kameda Hiroki;Sasaki Masahiro;Tomioka Katsuhiro
  • 通讯作者：
    Tomioka Katsuhiro
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
  • 影响因子：
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  • 作者：
    Akamatsu Tomoya;Tomioka Katsuhiro;Motohisa Junichi
  • 通讯作者：
    Motohisa Junichi

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    22KJ2096
  • 财政年份：
    2023
  • 资助金额：
    $ 4.16万
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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