Optical bleaching phenomenon in indirect semiconductors

间接半导体中的光学漂白现象

• 批准号: 20K05368
• 负责人: JIA Junjun
• 金额: $ 2.75万
• 依托单位: Waseda University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2020
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2020-04-01 至 2023-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20K05368/
• 关键词: 光ブリーチング; 間接遷移; 直接遷移; フェルミーディラック分布関数; ホットキャリア; 時間分解測定; 過渡透過率; 過渡反射率; 谷間散乱; 間接遷移型; 光励起; Pump-probe測定; フェルミ‐ディラック分布関数; ホット電子; 電子－フォノン結合定数; 光ブリーチング現象; Pump-Probe法; 電子ーホール再結合; 過渡透過・反射測定; 間接遷移型半導体; ホットエレクトロン; 電子フォノン相互作用; 材料設計

项目成果

Revealing the simultaneous increase in transient transmission and reflectivity in InN

揭示 InN 中瞬态透射率和反射率的同时增加

• DOI: 10.1063/5.0114290
• 发表时间: 2022
• 影响因子: 3.2
• 作者: Jia Junjun;Yagi Takashi;Mizutani Mari;Yamada Naoomi;Makimoto Toshiki
• 通讯作者: Makimoto Toshiki

p-type conduction mechanism in continuously varied non-stoichiometric SnOx thin films deposited by reactive sputtering with the impedance control

阻抗控制反应溅射沉积的连续变化的非化学计量 SnOx 薄膜中的 p 型传导机制

• DOI: 10.1063/5.0005953
• 发表时间: 2020
• 影响因子: 3.2
• 作者: Junjun Jia; Takumi Sugane; Shin;Yuzo Shigesato
• 通讯作者: Yuzo Shigesato

Modelling structural evolution of In2O3-based amorphous films during annealing

模拟 In2O3 基非晶薄膜在退火过程中的结构演化

• 发表时间: 2022
• 作者: Junjun Jia; Toshihiro Okajima; Yuzo Shigesato
• 通讯作者: Yuzo Shigesato

p-type conduction mechanism in continuously varied non-stoichiometric SnOx thin films deposited by reactive sputtering with the impedance control

阻抗控制反应溅射沉积的连续变化的非化学计量 SnOx 薄膜中的 p 型传导机制

• DOI: 10.1063/5.0005953
• 发表时间: 2020
• 影响因子: 3.2
• 作者: Junjun Jia; Takumi Sugane; Shin;Yuzo Shigesato
• 通讯作者: Yuzo Shigesato

Conduction mechanism and Defect/Electronic Structures in Sputtered SnOx thin films

溅射 SnOx 薄膜中的传导机制和缺陷/电子结构

• 发表时间: 2021
• 作者: Junjun Jia; Yuzo Shigesato
• 通讯作者: Yuzo Shigesato