Study on solar-cells using InN/GaN superlattice peudo-alloy

InN/GaN超晶格伪合金太阳能电池的研究

• 批准号: 22760233
• 负责人: KAWAHARAZUKA Atsushi
• 金额: $ 2.83万
• 依托单位: Waseda University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2012
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22760233/
• 关键词: InN; 分子線エピタキシー; 太陽電池; 窒化物半導体; 超格子; 励起子; 光吸収; 直接遷移; 間接遷移

Implementation of highly efficient semiconductor solar-cells are investigated. Semiconductor hetero-structures controlled in nano-meter-scale (superlattice) is employed as the active layer to enhance the efficiency of the solar-cells by increasing the absorption of sunlight. Theoretical and experimental investigations are performend on the AlAs/GaAs superlattices as prototypes to confirm the validity of the superlattice active layer. Growth of InN by molecular beam epitaxy is investigated for the applications of InN/GaN short-period superlattice.

研究了高效半导体太阳能电池的实现。采用纳米级（超晶格）控制的半导体异质结构作为活性层，通过增加太阳光的吸收来提高太阳能电池的效率。以 AlAs/GaAs 超晶格为原型进行理论和实验研究，以证实超晶格有源层的有效性。研究了分子束外延生长InN在InN/GaN短周期超晶格中的应用。

项目成果

高効率太陽電池

高效率太阳能电池

• 发表时间: 2012
• 作者: 河原塚 篤 他

GaAs/AlAs Superlattice Solar-Cell with X-Electron Conduction

X 电子传导 GaAs/AlAs 超晶格太阳能电池

• 发表时间: 2012
• 作者: A. Kawaharazuka; K. Onomitsu;Y. Horikoshi
• 通讯作者: Y. Horikoshi

Excitonic absorption on AlGaAs/GaAs superlattice solar cells

AlGaAs/GaAs 超晶格太阳能电池的激子吸收

• 发表时间: 2011
• 作者: J.Nishinaga; A.Kawaharazuka; K.Onomitsu; K.H.Ploog; Y.Horikoshi
• 通讯作者: Y.Horikoshi

AlGaAs/GaAs超格子構造太陽電池における励起子吸収の効果

AlGaAs/GaAs 超晶格结构太阳能电池中激子吸收的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: 河原塚篤;小野満恒二;西永慈郎;堀越佳治
• 通讯作者: 堀越佳治

太陽電池

太阳能电池

• 发表时间: 2012