Modification of the bandgap of hexagonal BN and deep-ultraviolet luminescence dynamics of excitons in them
六方氮化硼带隙的修饰及其激子的深紫外发光动力学
基本信息
- 批准号：20K20993
- 负责人：
- 金额：$ 4.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
- 财政年份：2020
- 资助国家：日本
- 起止时间：2020-07-30 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（20）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Niバッファ層上への六方晶窒化ホウ素薄膜のCVD成長
Ni缓冲层上CVD生长六方氮化硼薄膜
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：田中佑樹;渡邊泰良;吉岡陸;増田克仁;大石泰己;増田希良里;小南裕子;原和彦
- 通讯作者：原和彦
陰極線励起による単層六方晶BNのバンド端発光の観測
阴极射线激发观察单层六方氮化硼的带边发射
- DOI：
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：嶋紘平; Tin S. Cheng; Christopher J. Mellor; Peter H. Benton; Christine Elias; Bernard Gil; Guillaume Cassabois; Sergei V. Novikov; 秩父重英
- 通讯作者：秩父重英
Emission dynamics of indirect excitons in hexagonal BN epilayers containing polytypic segments grown by chemical vapor deposition using carbon-free precursors
使用无碳前驱体通过化学气相沉积生长含有多型片段的六方氮化硼外延层中间接激子的发射动力学
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S. F. Chichibu; K. Shima; K. Kikuchi; N. Umehara; K. Takiguchi; Y. Ishitani;K. Hara
- 通讯作者：K. Hara
Room-temperature intrinsic excitonic luminescence from a hexagonal boron nitride thin film grown on a sapphire substrate by low-pressure chemical vapor deposition using BCl3 as a boron source
以BCl<sub>3</sub>为硼源，低压化学气相沉积法在蓝宝石衬底上生长六方氮化硼薄膜的室温本征激子发光
- DOI：10.35848/1347-4065/ac093f
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Umehara Naoki;Adachi Takurou;Masuda Atsushi;Kouno Tetsuya;Kominami Hiroko;Hara Kazuhiko
- 通讯作者：Hara Kazuhiko
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
CHICHIBU Shigefusa其他文献
CHICHIBU Shigefusa的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('CHICHIBU Shigefusa', 18)}}的其他基金
Development of a spatio-time-resolved cathodoluminescence spectroscopy technique applicable for wide bandgap semiconductors through the generation and focusing of high-brightness femtosecond pulsed photoelectron beams
通过产生和聚焦高亮度飞秒脉冲光电子束，开发适用于宽带隙半导体的时空分辨阴极发光光谱技术
- 批准号：
23656206 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Epitaxial growth and fabrication of microcavities by the helicon-wave-excited-plasma sputtering method
螺旋波激发等离子体溅射法外延生长和微腔制造
- 批准号：
19360137 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of oxide semiconductor and dielectric electronics using helicon-wave-excited-plasma sputtering methods
使用螺旋波激发等离子体溅射方法开发氧化物半导体和介电电子器件
- 批准号：
16360146 - 财政年份：2004
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
Optical bleaching phenomenon in indirect semiconductors
间接半导体中的光学漂白现象
- 批准号：
20K05368 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Direct Observation of Machining Gap by EDM of Transparent Insulator and Development of Insulator Drilling EDM
透明绝缘子电火花加工间隙的直接观察及绝缘子钻孔电火花加工的开发
- 批准号：
16K06032 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
直接遷移／間接遷移ハイブリッド型超格子を用いた薄膜太陽電池の研究
直接/间接过渡混合超晶格薄膜太阳能电池研究
- 批准号：
25420298 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Nitrogen impurity states in AlAs for visible quantum light sources
用于可见量子光源的 AlAs 中的氮杂质态
- 批准号：
24760015 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Study on solar-cells using InN/GaN superlattice peudo-alloy
InN/GaN超晶格伪合金太阳能电池的研究
- 批准号：
22760233 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 4.16万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)