Hetero-junction devices of lattice matched alpha-(In1-xAlx)2O3 semiconductors

晶格匹配的α-(In1-xAlx)2O3半导体异质结器件

基本信息

批准号：
19K22143
负责人：
Nishinaka Hiroyuki
金额：
$ 4.08万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-06-28 至 2021-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（20）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Phase control of α- and κ-Ga2O3 epitaxial growth on LiNbO3 and LiTaO3 substrates using α-Fe2O3 buffer layers

使用 α-Fe2O3 缓冲层对 LiNbO3 和 LiTaO3 衬底上的 α- 和 δ-Ga2O3 外延生长进行相位控制

DOI：
10.1063/5.0006137
发表时间：
2020-05-12
期刊：
AIP Advances
影响因子：
1.6
作者：
K. Shimazoe;H. Nishinaka;Yuta Arata;Daisuke Tahara;M. Yoshimoto
通讯作者：
M. Yoshimoto

Growth of α-and ε-Ga2O3Epitaxial Thin Films on LiTaO3 Substrate

LiTaO3 衬底上 α-和 ε-Ga2O3 外延薄膜的生长

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Shimazoe;H. Nishinaka;D. Tahara;Y. Arata;M. Yoshimoto
通讯作者：
M. Yoshimoto

Fabrication of Flexible and Epitaxial Metastable Ga2O3 Thin Films on Synthetic Mica Using OxideBuffer Layer

使用氧化物缓冲层在合成云母上制备柔性外延亚稳态 Ga2O3 薄膜

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Arata;H. Nishinaka;D. Tahara;K. Shimazoe;Y. Ito;M. Yoshimoto
通讯作者：
M. Yoshimoto

Growth and Characterization of Corundum Structure Oxide Semiconductor on α-Fe2O3 Buffer Layers by The Mist CVD Method

雾气CVD法在α-Fe2O3缓冲层上生长刚玉结构氧化物半导体并表征

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
K. Shimazoe;H. Nishinaka;D. Tahara;Y. Arata;M. Yoshimoto
通讯作者：
M. Yoshimoto

スピネル基板上に格子整合して成長したγ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜の界面の結晶構造解析

尖晶石衬底上晶格匹配生长的γ-(AlxGa1-x)2O3混晶薄膜界面晶体结构分析

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
堀江竜斗;田原大祐; 西中浩之;吉本昌広
通讯作者：
吉本昌広

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

Nishinaka Hiroyuki其他文献

Phase control of α- and κ-Ga2O3 epitaxial growth on LiNbO3 and LiTaO3 substrates using α-Fe2O3 buffer layers

使用 α-Fe2O3 缓冲层对 LiNbO3 和 LiTaO3 衬底上的 α- 和 κ-Ga2O3 外延生长进行相位控制

DOI：
10.1063/5.0006137
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.6
作者：
Shimazoe Kazuki;Nishinaka Hiroyuki;Arata Yuta;Tahara Daisuke;Yoshimoto Masahiro
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro

Improving the photovoltaic properties of GaAs/GaAsBi pin diodes by inserting a compositionally graded layer at the hetero-interface

通过在异质界面插入成分梯度层来提高 GaAs/GaAsBi pin 二极管的光伏特性

DOI：
10.1088/1361-6641/ac66fa
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
1.9
作者：
Kawata Hiromu;Hasegawa Sho;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro

Deep levels and carrier capture kinetics in n-GaAsBi alloys investigated by deep level transient spectroscopy

通过深能级瞬态光谱研究 n-GaAsBi 合金中的深能级和载流子捕获动力学

DOI：
10.1088/1361-6463/ac0182
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Fregolent Manuel;Buffolo Matteo;De Santi Carlo;Hasegawa Sho;Matsumura Junta;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro;Meneghesso Gaudenzio;Zanoni Enrico;Meneghini Matteo
通讯作者：
Meneghini Matteo

Plan-view TEM observation of a single-domain κ-Ga2O3 thin film grown on ε-GaFeO3 substrate using GaCl3 precursor by mist chemical vapor deposition

使用 GaCl3 前驱体通过雾气化学气相沉积在 ε-GaFeO3 衬底上生长的单畴 κ-Ga2O3 薄膜的平面视图 TEM 观察

DOI：
10.35848/1347-4065/ac3e17
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Nishinaka Hiroyuki;Ueda Osamu;Ito Yusuke;Ikenaga Noriaki;Hasuike Noriyuki;Yoshimoto Masahiro
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro

Microstructures of ε-Ga2O3 thin film on (100) TiO2 substrate by mist chemical vapor deposition

(100) TiO2 基底雾气化学气相沉积 ε-Ga2O3 薄膜的微观结构

DOI：
10.1109/imfedk48381.2019.8950694
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tahara Daisuke;Nishinaka Hiroyuki;Arata Yuta;Shimazoe Kazuki;Yoshimoto Masahiro
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro