Research on Polarization-Controlled Ultra-Wide Bandgap Semiconductor Devices

偏振控制超宽带隙半导体器件研究

基本信息

批准号：
19H02170
负责人：
Nishinaka Hiroyuki
金额：
$ 11.23万
依托单位：
Kyoto Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（66）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Rapid homoepitaxial growth of (010) β-Ga2O3 thin films via mist chemical vapor deposition

通过雾化学气相沉积快速同质外延生长 (010) β-Ga2O3 薄膜

DOI：
10.1016/j.mssp.2021.105732
发表时间：
2021-06-01
期刊：
Materials Science in Semiconductor Processing
影响因子：
4.1
作者：
H. Nishinaka;T. Nagaoka;Yukinobu Kajita;M. Yoshimoto
通讯作者：
M. Yoshimoto

Phase control of α- and κ-Ga2O3 epitaxial growth on LiNbO3 and LiTaO3 substrates using α-Fe2O3 buffer layers

使用 α-Fe2O3 缓冲层对 LiNbO3 和 LiTaO3 衬底上的 α- 和 κ-Ga2O3 外延生长进行相位控制

DOI：
10.1063/5.0006137
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
1.6
作者：
Shimazoe Kazuki;Nishinaka Hiroyuki;Arata Yuta;Tahara Daisuke;Yoshimoto Masahiro
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro

Bi添加In2O3の光学的特性評価

Bi掺杂In2O3光学性能评价

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
谷口陽子;島添和樹;西中浩之;吉本昌広
通讯作者：
吉本昌広

ミストCVD法による省エネパワーデバイスGa2O3の形成技術

雾气CVD法节能功率器件Ga2O3形成技术

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
西中浩之
通讯作者：
西中浩之

Epitaxial Growth of ZnO Thin Films on Flexible Substrates and Characteristics of Optical Properties by Bending

柔性衬底上 ZnO 薄膜的外延生长及其弯曲光学特性

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Y. Arata; H. Nishinaka;M. Yoshimoto
通讯作者：
M. Yoshimoto

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Nishinaka Hiroyuki其他文献

Improving the photovoltaic properties of GaAs/GaAsBi pin diodes by inserting a compositionally graded layer at the hetero-interface

通过在异质界面插入成分梯度层来提高 GaAs/GaAsBi pin 二极管的光伏特性

DOI：
10.1088/1361-6641/ac66fa
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
1.9
作者：
Kawata Hiromu;Hasegawa Sho;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro

Deep levels and carrier capture kinetics in n-GaAsBi alloys investigated by deep level transient spectroscopy

通过深能级瞬态光谱研究 n-GaAsBi 合金中的深能级和载流子捕获动力学

DOI：
10.1088/1361-6463/ac0182
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Fregolent Manuel;Buffolo Matteo;De Santi Carlo;Hasegawa Sho;Matsumura Junta;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro;Meneghesso Gaudenzio;Zanoni Enrico;Meneghini Matteo
通讯作者：
Meneghini Matteo

Microstructures of ε-Ga2O3 thin film on (100) TiO2 substrate by mist chemical vapor deposition

(100) TiO2 基底雾气化学气相沉积 ε-Ga2O3 薄膜的微观结构

DOI：
10.1109/imfedk48381.2019.8950694
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
Tahara Daisuke;Nishinaka Hiroyuki;Arata Yuta;Shimazoe Kazuki;Yoshimoto Masahiro
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro

Heteroepitaxial growth of ε-(AlxGa1-x)2O3 alloy films on c-plane AlN templates by mist chemical vapor deposition

雾气化学气相沉积在 c 面 AlN 模板上异质外延生长 ε-(AlxGa1-x)2O3 合金薄膜

DOI：
10.1063/1.5021296
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
4
作者：
Tahara Daisuke;Nishinaka Hiroyuki;Morimoto Shota;Yoshimoto Masahiro
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro

Fabrication of a GaAs/GaNAsBi solar cell and its performance improvement by thermal annealing

GaAs/GaNAsBi太阳能电池的制备及其通过热退火提高性能

DOI：
10.1088/1361-6641/ac13af
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
1.9
作者：
Kawata Hiromu;Hasegawa Sho;Matsumura Junta;Nishinaka Hiroyuki;Yoshimoto Masahiro
通讯作者：
Yoshimoto Masahiro