A new low-voltage power MOSFET structure and control to break through theoretical limit for high efficiency electric vehicle

新型低压功率MOSFET结构及控制突破高效电动汽车理论极限

基本信息

  • 批准号:
    19K23518
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Research Activity Start-up
  • 财政年份:
    2019
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2019-08-30 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
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专利数量(0)
Power Loss Reduction of Low-Voltage Power MOSFET by Combination of Assist Gate Structure and Gate Control Technology
辅助栅极结构与栅极控制技术相结合降低低压功率MOSFET的功率损耗
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Kaneko;M. Nakajima;Q. Jin;and T. Kimoto;Wataru Saito and Shin-ichi Nishizawa
  • 通讯作者:
    Wataru Saito and Shin-ichi Nishizawa
Assist Gate MOSFETs for Improvement of On-Resistance and Turn-Off Loss Trade-Off
辅助栅极 MOSFET 改善导通电阻和关断损耗权衡
  • DOI:
    10.1109/led.2020.2991927
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.9
  • 作者:
    Saito Wataru;Nishizawa Shin-ichi
  • 通讯作者:
    Nishizawa Shin-ichi
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    0
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