Development of fast self regulating digital active gate driver for SiC MOSFET

SiC MOSFET 快速自调节数字有源栅极驱动器的开发

基本信息

批准号：
23H01399
负责人：
引原隆士
金额：
$ 11.32万
依托单位：
Kyoto University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
项目状态：
未结题

项目摘要

项目成果

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