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SiC MOSFETの駆動に自動最適化可能なディジタルアクティブゲートドライバとそのダブルパルス試験における検証

可自动优化驱动 SiC MOSFET 的数字有源栅极驱动器及其双脉冲测试验证

基本信息

DOI：
--
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
引原 隆士
中科院分区：
文献类型：
--
作者： 福永 崇平;高山 創;引原 隆士研究方向： -- MeSH主题词： --
关键词： --
来源链接：pubmed详情页地址

文献摘要

参考文献（32）
被引文献（19）
SiC MOSFET threshold-stability issues
DOI：
10.1016/j.mssp.2017.11.028
发表时间：
2018-05-01
期刊：
MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING
影响因子：
4.1
作者：
Lelis, Aivars J.;Green, Ronald;Habersat, Daniel B.
通讯作者：
Habersat, Daniel B.
Sensitivity analysis of a technique for the extraction of interface trap density in SiC MOSFETs from subthreshold characteristics
从亚阈值特性中提取 SiC MOSFET 界面陷阱密度的技术的灵敏度分析
DOI：
10.1109/irps.2014.6860589
发表时间：
2014
期刊：
2014 IEEE International Reliability Physics Symposium
影响因子：
0
作者：
D. Hughart;J. Flicker;S. Atcitty;M. Marinella;R. Kaplar
通讯作者：
R. Kaplar
Characterization of interface traps in the subthreshold region of implanted 4H and 6H-SiC MOSFETs
注入 4H 和 6H-SiC MOSFET 亚阈值区域中界面陷阱的表征
DOI：
10.1016/s0038-1101(02)00108-9
发表时间：
2002
期刊：
Solid-state Electronics
影响因子：
1.7
作者：
Y. Zeng;A. Softić;M. White
通讯作者：
M. White
Characterization of SiO2/4H-SiC Interfaces in 4H-SiC MOSFETs: A Review
DOI：
10.3390/en12122310
发表时间：
2019-06-02
期刊：
ENERGIES
影响因子：
3.2
作者：
Fiorenza, Patrick;Giannazzo, Filippo;Roccaforte, Fabrizio
通讯作者：
Roccaforte, Fabrizio
Fast Near-Interface Traps in 4H-SiC MOS Capacitors Measured by an Integrated-Charge Method
DOI：
10.1109/access.2021.3102614
发表时间：
2021-01-01
期刊：
IEEE ACCESS
影响因子：
3.9
作者：
Chaturvedi, Mayank;Dimitrijev, Sima;Jadli, Utkarsh
通讯作者：
Jadli, Utkarsh

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引原 隆士
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