Control of valence band energy position of gallium oxides semiconductor for generating p-type conductivity

控制氧化镓半导体的价带能量位置以产生p型导电性

基本信息

批准号：
19K15456
负责人：
AKAIWA KAZUAKI
金额：
$ 2.66万
依托单位：
Tottori University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
财政年份：
2019
资助国家：
日本
起止时间：
2019-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（1）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Growth of b-Ga2(O,S)3 alloy films on YSZ substrates by mist-CVD method

雾气CVD法在YSZ基体上生长b-Ga2(O,S)3合金薄膜

DOI：
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
赤岩和明;廣江翼;長野望江;阿部友紀;加渡幹尚;市野邦男
通讯作者：
市野邦男

DOI：
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作者：
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作者：
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