CAREER: Integration of 2D materials for broadband silicon photonics

职业:宽带硅光子学二维材料的集成

基本信息

  • 批准号:
    1915018
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 8.99万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    2018
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2018-09-01 至 2020-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

The objective of this research is to investigate the integration of novel two-dimensional materials in silicon-based, planar photonic circuits to achieve broadband optoelectronic devices operating in the near- to mid-infrared spectral range. The two-dimensional materials to be studied include graphene and monolayer transition metal dichalcogenides of various types. The approach is to develop fabrication processes and conduct characterization and measurement of two-dimensional materials integrated optoelectronic devices. The specific research goals include development of broadband and highly efficient photodetectors and modulators for the near- and mid-infrared, investigation and utilization of nonlinear optical phenomena in two-dimensional materials, and demonstration of waveguide integrated and coupled two-dimensional light emitters. Intellectual Merit: The optoelectronic properties of two-dimensional materials have not been widely utilized for integrated optoelectronic devices. The proposed research will demonstrate practical optoelectronic devices based on two-dimensional materials with unprecedented performances. The integrated approach will also provide effective near-field means to investigate the optoelectronic properties of the two-dimensional materials. The research results will be the first steps to incorporating two-dimensional materials in large scale integrated, silicon-based photonic circuits and systems for optical communication and computation. Broader Impacts: The project will impact the industry and the scientific community by providing new materials for optoelectronic devices. The education and outreach activities will encourage high-schools students to pursue a career in science and engineering, disseminate the knowledge learned in the project through undergraduate participation in research and curriculum development, and recruit minority students to participate in research.
这项研究的目的是研究基于硅的平面光子电路中新型二维材料的整合,以实现在接近至中红外光谱范围内运行的宽带光电设备。要研究的二维材料包括各种类型的石墨烯和单层过渡金属二分法。该方法是开发制造过程并进行二维材料集成光电设备的表征和测量。具体的研究目标包括开发宽带和高效的光电探测器以及用于近红外和中液的调节剂,在二维材料中的非线性光学现象的调查和利用,以及波导整合和偶联的二维光发射器的示范。智力优点:二维材料的光电特性尚未广泛用于集成的光电设备。拟议的研究将证明基于具有前所未有的性能的二维材料的实用光电设备。综合方法还将提供有效的近场手段来研究二维材料的光电特性。研究结果将是将二维材料大规模整合,基于硅的光子电路和用于光学通信和计算的系统的第一步。更广泛的影响:该项目将通过为光电设备提供新材料来影响行业和科学界。教育和外展活动将鼓励高中生从事科学和工程职业,通过本科生参与研究和课程发展,传播项目中学到的知识,并招募少数族裔学生参加研究。

项目成果

期刊论文数量(6)
专著数量(0)
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专利数量(0)
Waveguide-integrated black phosphorus photodetector with high responsivity and low dark current
  • DOI:
    10.1038/nphoton.2015.23
  • 发表时间:
    2015-04-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    35
  • 作者:
    Youngblood, Nathan;Chen, Che;Li, Mo
  • 通讯作者:
    Li, Mo
Ultrafast photocurrent measurements of a black phosphorus photodetector
  • DOI:
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  • 发表时间:
    2017-01-30
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Youngblood, Nathan;Li, Mo
  • 通讯作者:
    Li, Mo
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  • DOI:
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  • 发表时间:
    2017-10-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.8
  • 作者:
    Peng, Ruoming;Khaliji, Kaveh;Li, Mo
  • 通讯作者:
    Li, Mo
Three-Dimensional Integration of Black Phosphorus Photodetector with Silicon Photonics and Nanoplasmonics
  • DOI:
    10.1021/acs.nanolett.6b04332
  • 发表时间:
    2017-02-01
  • 期刊:
  • 影响因子:
    10.8
  • 作者:
    Chen, Che;Youngblood, Nathan;Li, Mo
  • 通讯作者:
    Li, Mo
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