Steuerung von Ladungsträgerdynamik in SOI-Wellenleitern mittels BICMOS-Technologie

使用 BICMOS 技术控制 SOI 波导中的载流子动力学

• 批准号: 158007795
• 负责人: Professor Dr. Bernd Tillack
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP GmbH)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2009-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/158007795?language=en
• 关键词: Steuerung; von; Ladungstr; gerdynamik; SOI

Im Projekt soll die Anwendbarkeit von IC-Technologien für elektronisch-photonische Integration und Fabrikation untersucht werden. Dabei steht die Steuerbarkeit von optischen Eigenschaften siliziumphotonischer Strukturen (insbesondere von Wellenleitern) mittels Ladungsträgerdynamik im Mittelpunkt der Arbeiten. Die Ladungsträgerdynamik (Ladungsträgerlebensdauer und Konzentration) soll mit-tels vielfältiger, in der Technologie integrierter Schaltungen angewandter Techniken (Implantation, Epitaxie, Gettering etc) beeinflusst werden. Die Untersuchungen erfolgen in einer modernen, qualifizierten BiCMOS-Linie am IHP. Die dort auch für Partner aus Universitäten, Forschungsinstituten und Firmen zur Verfügung gestellten IC-Technologien verfügen über minimale Strukturgrößen von 0.13μm und werden auf 200mm Substraten gefertigt. Basis für die Arbeiten ist die Umsetzung von SOI-Wellenleiterentwürfen unter Verwendung von 248nm-Lithografietechniken (Deep-UV oder DUV). Da die typischen kleinsten Strukturgrößen (Critical Dimensions, CD) für optische Bauelemente (Wellenleiter, Gitter, Koppler etc.) im Bereich 100-200 nm liegen und die Geometrien stark von elektronischen Anwendungen abweichen, sind hier Untersuchungen für die Ver-fahrensweise im Maskenlayout optischer Strukturen notwendig (insbesondere die Optical-Proximity Correction, OPC). Ebenso muss die Ätztechnologie im Hinblick auf minimale optische Verluste optimiert werden. Ein Ziel dabei ist, die Grenzen der optischen Lithografie (248 nm) für SOI Wellenleiter zu evaluieren, da die Anforderungen im Vergleich zur IC Standardtechnologie sehr verschieden sind. Die Kooperation mit dem Teilprojekt PB an der TU Berlin und anderen Teilprojekten der Forschergruppe ist dabei von zentraler Bedeutung, da optische Expertise im erforderlichen Umfang nicht am IHP vorhanden ist. In Zusammenarbeit werden die Bauelemente zum Studium von Ladungsträgereffekten realisiert, wie z.B. einfache Wellenleiter, Ringe, Interferometer oder Laserstrukturen. Die Untersuchungen am IHP konzentrieren sich auf die Realisierung solcher Bauelemente und die Prozessintegration in die entsprechenden Teilschrittmodule. In der Forschergruppe werden dann die Ladungsträgereffekte charakterisiert und die Korrelation mit Prozessabläufen und Parametern hergestellt.

我证明我将死于IC技术（Ladungsträgerlebensdauerund Konzentration）Soll bsoltels该公司存在各种各样的问题，包括使用技术（植入，表皮，表皮，Gettering等），目前正在努力确保该公司的现代化环境，并且可以确保该公司的现代化并确保该公司的工作能力，并且该公司的工作能力确保该公司的工作能力，并且该公司的工作能力是不起作用的。 Werden AUF 200mm底层Gefertigt。基础fürdie arbeiten iSt die umsetzung von soi-wellenleiterentwürfenunter verwendung von 248nm-lithografietechniken（Deep-Uv Oder Duv）。 Da die typischen kleinsten Strukturgrößen (Critical Dimensions, CD) für optische Bauelemente (Wellenleiter, Gitter, Koppler etc.) im Bereich 100-200 nm liegen und die Geometrien stark von elektronischen The company has a strong impact on the importance of the new world (Optical Proximity Correction, OPC). Ebenso Muss Dieätztechnologieim Benz，该公司对Mini-Optische Verluste Optimische（248 nm）IC标准技术SEHR VERSCHIEDEN SIND有很大影响。 Die Kooperation Mitts Dem Teilprojekt pb an der tu berlin和andren teilprojekten forschergruppe in the Bauelemente中的ISTS，这是政府必须宣布的，而IHP是政府必须预言的。在Zusammenarbeit Werders中，西部被Studium v​​onLadungsträgerefektenRealisiert列为Wie Z.B. Einfache Wellenleiter，Ringe，干涉仪Laserstrukturen。 Die Untersuchungen Am IHP Konzentrieren Sich Auf Die Realisierung Solcher Bauelemente和Die die ProzessIntegration in Die TeilschrittModule。在Der Forschergruppe Werden Dann DieLadungsträgereffekteCharakterisiert和Die die die korrosalation降低prozessabläufen和参数Hergerstellt。