Steuerung von Ladungsträgerdynamik in SOI-Wellenleitern mittels BICMOS-Technologie

使用 BICMOS 技术控制 SOI 波导中的载流子动力学

• 批准号: 158007795
• 负责人: Professor Dr. Bernd Tillack
• 金额: --
• 依托单位: Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik (IHP GmbH)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Units
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2009-12-31 至 2013-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/158007795?language=en
• 关键词: Steuerung; von; Ladungstr; gerdynamik; SOI

Im Projekt soll die Anwendbarkeit von IC-Technologien für elektronisch-photonische Integration und Fabrikation untersucht werden. Dabei steht die Steuerbarkeit von optischen Eigenschaften siliziumphotonischer Strukturen (insbesondere von Wellenleitern) mittels Ladungsträgerdynamik im Mittelpunkt der Arbeiten. Die Ladungsträgerdynamik (Ladungsträgerlebensdauer und Konzentration) soll mit-tels vielfältiger, in der Technologie integrierter Schaltungen angewandter Techniken (Implantation, Epitaxie, Gettering etc) beeinflusst werden. Die Untersuchungen erfolgen in einer modernen, qualifizierten BiCMOS-Linie am IHP. Die dort auch für Partner aus Universitäten, Forschungsinstituten und Firmen zur Verfügung gestellten IC-Technologien verfügen über minimale Strukturgrößen von 0.13μm und werden auf 200mm Substraten gefertigt. Basis für die Arbeiten ist die Umsetzung von SOI-Wellenleiterentwürfen unter Verwendung von 248nm-Lithografietechniken (Deep-UV oder DUV). Da die typischen kleinsten Strukturgrößen (Critical Dimensions, CD) für optische Bauelemente (Wellenleiter, Gitter, Koppler etc.) im Bereich 100-200 nm liegen und die Geometrien stark von elektronischen Anwendungen abweichen, sind hier Untersuchungen für die Ver-fahrensweise im Maskenlayout optischer Strukturen notwendig (insbesondere die Optical-Proximity Correction, OPC). Ebenso muss die Ätztechnologie im Hinblick auf minimale optische Verluste optimiert werden. Ein Ziel dabei ist, die Grenzen der optischen Lithografie (248 nm) für SOI Wellenleiter zu evaluieren, da die Anforderungen im Vergleich zur IC Standardtechnologie sehr verschieden sind. Die Kooperation mit dem Teilprojekt PB an der TU Berlin und anderen Teilprojekten der Forschergruppe ist dabei von zentraler Bedeutung, da optische Expertise im erforderlichen Umfang nicht am IHP vorhanden ist. In Zusammenarbeit werden die Bauelemente zum Studium von Ladungsträgereffekten realisiert, wie z.B. einfache Wellenleiter, Ringe, Interferometer oder Laserstrukturen. Die Untersuchungen am IHP konzentrieren sich auf die Realisierung solcher Bauelemente und die Prozessintegration in die entsprechenden Teilschrittmodule. In der Forschergruppe werden dann die Ladungsträgereffekte charakterisiert und die Korrelation mit Prozessabläufen und Parametern hergestellt.

IM PROEKT soll anwendbarkeit von ic-Technologiesfürel elektronische整合和fabrikation untersucht werden。 Elfältiger，在Der Technologie Integerter Schaltungen中beeinflusst ntersuchungen eeren coilden of ZurverfügungGestelltenIC-Technologien von0.13μm和werden auf auf auf auf substraten substraten gefertigt e （Wellenleiter，Koppler等）Im Bereich 100-200 nm liegen unditrien stark von elektronischen n abweichen，sind hier untersuchungenfürim die ver-fahrensweise im fer-fahrensweise im maskEnweise immaskenlayout optischer optischer strukturen notwendig recorption，opc perc e ografie（248）。 Anforderungen im Vergleich iC StandardTechnologie Sehr Verschieden Sind。 vonladungsträgereffeert，Wie Z.B. Einfache Wellenleiter ，铃声，在der forschergruppe werden die die die ladungstreffekte charakterisiert和die korrelation die korrelation die korrelationsabläufensabläufensabläufenungetern hergesellt中。