Untersuchung des Einflusses des Ladungsträgersystems auf die Adatom-, Stufen- und Desorptionsdynamik von Halbleitern
研究载流子系统对半导体吸附原子、阶跃和解吸动力学的影响
基本信息
- 批准号:5408912
- 负责人:
- 金额:--
- 依托单位:
- 依托单位国家:德国
- 项目类别:Research Grants
- 财政年份:2003
- 资助国家:德国
- 起止时间:2002-12-31 至 2009-12-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Mittels Rastertunnelmikroskopie soll der Einfluss der freien Ladungsträger auf grundlegende dynamische Prozesse während des Wachstums dünner Halbleiter-Schichten experimentell bestimmt werden. Ziel ist es, eine Kopplung zwischen dem Ladungsträgersystem und der Stufenstabilität, der Adatomdiffusion sowie dem Desorptionsverhalten nachzuweisen und quantitativ zu bestimmen. Insbesondere soll auch untersucht werden, ob unterschiedliche physikalische Mechanismen das Ladungsträgersystem (bestimmt durch Ladungsträgertyp und Konzentration) auf die Dynamik von geladenen und ungeladenen Adatomen und Defekten wirken lassen. Von den Ergebnissen werden Aussagen über Wege zur Optimierung des Wachstums von Halbleiterhetero- und -homostrukturen, insbesondere solche mit stark wechselnden Dotieratomkonzentrationen, erwartet.
mittels rastertunnelmikroskopie soll der freien ladungstrgende auf grundlegende dynamische prozesse wachstums halbl eiter-schichten schichten实验Ititiv Zu Bestimmen。 Physikalische机构Das Ladungstr某些AUF Dynamik Von geladenen adatoMen und defekten wirken lassen。
项目成果
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