Infrared Quantum-Cascade Lasers Based Upon III-V Nitride Heterostructures

基于 III-V 族氮化物异质结构的红外量子级联激光器

基本信息

  • 批准号:
    0080409
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 27万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Continuing Grant
  • 财政年份:
    2000
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    2000-09-01 至 2004-09-30
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

Our research program objectives are the design and growth of novel InAlGaN-based quantum-cascade lasers (QCLs) operating in the mid-infrared spectral region. The materials for these devices will be grown by metalorganic chemical vapor deposition and will be characterized by a variety of techniques, including X-ray diffraction, optical absorption, photoluminescence, and transmission electron microscopy. The QCL devices offer the potential for a dramatic performance improvement over other types of injection lasers including a smaller dependence of the threshold current upon operating temperature (i.e., a higher To), a more stable emission wavelength vs. temperature, and higher quantum efficiency. In addition, the III-N materials potentially offer significant advantages over other III-Vs used for infrared laser applications. This program will lead to the demonstration of nitride QCLs emitting in the near infrared (IR) in the 4-12m-wavelength regime used in optical sensing applications, as well as potentially at other longer-wavelength mid-IR wavelengths (e.g., 15-30m). Other possibilities include the realization of 1.33 and 1.55mm lasers using this approach. Graduate student training is emphasized in this program.
我们的研究项目目标是设计和开发在中红外光谱区工作的新型 InAlGaN 量子级联激光器 (QCL)。 这些器件的材料将通过金属有机化学气相沉积法生长,并通过多种技术进行表征,包括 X 射线衍射、光吸收、光致发光和透射电子显微镜。 与其他类型的注入激光器相比,QCL 器件具有显着的性能改进潜力,包括阈值电流对工作温度的依赖性更小(即更高的 To)、更稳定的发射波长与温度的关系以及更高的量子效率。 此外,与用于红外激光应用的其他 III-V 材料相比,III-N 材料具有潜在的显着优势。 该计划将展示氮化物 QCL 在光学传感应用中使用的 4-12m 波长范围内发射近红外 (IR) 波长,以及可能在其他较长波长的中红外波长(例如 15-15m)下发射的氮化物 QCL。 30m)。 其他可能性包括使用这种方法实现 1.33 和 1.55mm 激光器。 该计划强调研究生培养。

项目成果

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