Ablation Plasma Ion Implantation

烧蚀等离子体离子注入

• 批准号: 9907106
• 负责人: Ronald Gilgenbach
• 金额: $ 28.9万
• 依托单位: Regents of the University of Michigan - Ann Arbor
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Continuing Grant
• 财政年份: 1999
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1999-09-01 至 2002-08-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9907106&HistoricalAwards=false
• 关键词: Ablation; Plasma; Ion; Implantation

ABSTRACTCTS-9907106Ronald M. GligenbachThis is an investigation of a new ion source for implantation and synthesis of materials from solid targets. In this new technique, ablation plasma ion implantation (APII), energy-beam ablation of solid targets (metals, ceramics, or semiconductors) is used to generate pulses of ions for implantation, ion-assisted deposition, or synthesis of compounds. This study aims at development of a knowledge base on APII and the definition of scaling laws that can be used to evaluate engineering applications. The primary ablation source used is a KrF excimer laser operating at 50 Hz; other ablation sources available for comparison include e-beam, XeCl laser and YAG laser. Laser and optical diagnostics are applied to characterize the ablation plume species, the densities and energies of electrons , atoms, and ions, and the behavior of the sheath.

Abstractcts-9907106 M. Gligenbachthis是对植入和合成固体目标材料植入和合成材料的新离子源的研究。 在这项新技术中，使用固体靶标（金属，陶瓷或半导体）的消融等离子体离子植入（APII），用于生成离子脉冲以进行植入，离子辅助沉积或化合物的合成。 这项研究旨在发展有关APII的知识基础，以及可用于评估工程应用程序的规模定律的定义。 使用的主要消融源是在50 Hz下运行的KRF准分子激光器；可用于比较的其他消融源包括电子束，XECL激光和YAG激光器。 使用激光和光学诊断来表征消融羽种，电子，原子和离子的密度和能量以及鞘的行为。