Studies of MBE-grown Incommensurate Heterostructures Based on Metals and Semiconductors

基于金属和半导体的 MBE 生长的不相称异质结构的研究

基本信息

批准号：
8905367
负责人：
Ctirad Uher
金额：
$ 11.5万
依托单位：
Regents of the University of Michigan - Ann Arbor
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1989
资助国家：
美国
起止时间：
1989-09-01 至 1990-08-31
项目状态：
已结题

来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8905367&HistoricalAwards=false
关键词：
Studies MBE grown Incommensurate Heterostructures

项目摘要

This research deals with the growth mechanisms, structure, and physical properties of incommensurate molecular beam epitaxy (MBE) heteroepitaxy of metal and semiconductor overlayers. The heterostructures will include Ta-Nb and Co-Au superlattices. These overlayers will be deposited on III-V semiconductors as well as sapphire and silicon substrates. Part of the work will address growth processes encountered in migration enhanced epitaxial deposition.

这项研究涉及金属和半导体覆盖层的不相称分子束外延 (MBE) 异质外延的生长机制、结构和物理特性。异质结构将包括 Ta-Nb 和 Co-Au 超晶格。这些覆盖层将沉积在 III-V 族半导体以及蓝宝石和硅衬底上。部分工作将解决迁移增强外延沉积中遇到的生长过程。

项目成果

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