新型亚50纳米部分耗尽型SOI器件研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60676023
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:8.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0402.集成电路设计
- 结题年份:2007
- 批准年份:2006
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2007-01-01 至2007-12-31
- 项目参与者:韩德栋; 李定宇; 翟霞云; 韩旭; 曹笈; 莫邦燹;
- 关键词:
项目摘要
提出了部分耗尽(PD)型SOI技术可以比超薄体(UTB)SOI 技术具有更强的可缩小能力的新观点,并针对常规PD SOI技术所存在的主要问题提出了自己的解决方案。该解决方案包括提出一纳米尺度的PD SOI器件新结构以及实现该新结构的技术方案和工艺方法。初步的模拟结果已显示出该新结构的显著优势。另外从与CMOS技术兼容的角度,分析和讨论了相关的技术方案在工艺上的可行性。本项目将对所提出的新结构器件的
结项摘要
项目成果
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