低温柔性基底上的薄膜晶体管研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60876048
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:34.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0403.半导体光电子器件与集成
- 结题年份:2011
- 批准年份:2008
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2009-01-01 至2011-12-31
- 项目参与者:贾孟军; 韩德栋; 翟霞云; 廖聪维; 梁逸南; 杜林锋;
- 关键词:
项目摘要
柔性电子学是目前国际上最热门的前沿研究领域之一。低温柔性基底上的薄膜晶体管(TFT)技术是柔性电子学的核心技术之一。本项目以金属氧化物半导体氧化锌(ZnO)为功能材料,进行可应用于塑料基底的超低温(150 C以下)薄膜晶体管的制作和性能研究。主要研究内容有(1)有源层的低温制备方法和特性研究,(2)栅介质层材料的低温制备和特性研究,(3)栅电极材料低温制备和特性研究,(4)源漏电极材料制备和接触特性研究,(5)器件结构研究。通过研究可望获得(1)低温塑料基底上采用射频磁控溅射和直流反应磁控溅射两种技术制备高性能ZnO薄膜的方法;(2)顶栅结构和底栅结构ZnO-TFT性能的全面比较结果,给出两种结构器件优缺点的权威结论;(3)一种新的适用于ZnO薄膜的大面积低温掺杂技术。(4)一套完整的低温下高性能ZnO-TFT的制备方法。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Reactive RF Sputtering Deposited Nanocrystalline ZnO Thin-Film Transistors
反应射频溅射沉积纳米晶 ZnO 薄膜晶体管
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi || "--"}}
- 发表时间:{{ item.publish_year || "--" }}
- 期刊:{{ item.journal_name }}
- 影响因子:{{ item.factor || "--"}}
- 作者:{{ item.authors }}
- 通讯作者:{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:{{ item.authors }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:{{ item.doi || "--" }}
- 发表时间:{{ item.publish_year || "--"}}
- 期刊:{{ item.journal_name }}
- 影响因子:{{ item.factor || "--" }}
- 作者:{{ item.authors }}
- 通讯作者:{{ item.author }}
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{{
item.name }}
{{ item.translate_name }}
- 批准号:{{ item.ratify_no }}
- 财政年份:{{ item.approval_year }}
- 资助金额:{{ item.support_num }}
- 项目类别:{{ item.project_type }}