亚0.1微米统一的体硅和SOI MOSFET SPICE模型的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60276042
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:22.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:2005
- 批准年份:2002
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2003-01-01 至2005-12-31
- 项目参与者:刘卫东; 柯导明; 赵海峰; 孟坚; 魏敬和; 戴月花; 高珊; 朱德智; 朱先宁;
- 关键词:
项目摘要
本项目针对SPICE和BS IM的不足之处,建立用于电路模拟的超深亚微米MOSFET载流子速度过冲效应模型,量子化效应模型,亚阈区电容 模型、SOI结构的浮置体效应和history效应模型、器件特性的温度效应模型、RF频率下输 运电流的非静态模型和诱致栅热噪声模型,并将它们写入SPICE3F5程序中,最终建立体硅和SOI结构MOSFET的统一电荷、电流和电容模型。
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(13)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(1)
专利数量(0)
用分量匹配法实现对高速时钟电路的动态优化
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:电子学报
- 影响因子:--
- 作者:魏敬和;陈军宁;柯导明;时龙兴;陆生礼;樊进
- 通讯作者:樊进
高压功率LDMOS阈值电压温度系数的分析
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:中国科学技术大学学报
- 影响因子:--
- 作者:孟坚;陈军宁;柯导明;孙伟锋;时龙兴;王钦
- 通讯作者:王钦
考虑量子化效应的MOSFETs栅电容减小模型
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:中国科学技术大学学报
- 影响因子:--
- 作者:代月花;陈军宁;柯导明;吴秀龙;徐超
- 通讯作者:徐超
用阱作高阻漂移区的LDMOS导通电阻的解析模型
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体学报
- 影响因子:--
- 作者:孟坚;高珊;陈军宁;柯导明;孙伟锋;时龙兴;徐超
- 通讯作者:徐超
CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:半导体学报
- 影响因子:--
- 作者:陈军宁;于峰崎;王阳;柯导明
- 通讯作者:柯导明
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- 作者:姜学东;周宇飞;王诗兵;陈军宁
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