复合多晶硅栅射频MOSFET的研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    60644007
  • 项目类别:
    专项基金项目
  • 资助金额:
    8.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    F0405.半导体器件物理
  • 结题年份:
    2007
  • 批准年份:
    2006
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2007-01-01 至2007-12-31

项目摘要

复合多晶硅栅射频MOSFET采用栅工程的概念,通过对栅的设计,得到特性优良的新结构射频MOSFET。所设计的栅有S-gate 和D-gate 两块并列组成,S-gate用高功函数p多晶硅,D-gate用低功函数n多晶硅。由于靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压,沟道中产生阶梯分布电势,电场沿沟道有一个峰值,载流子可以得到更大的漂移速度,其结果是提高了驱动电流、跨导和截止频率。同时又减小了漏漂移区末

结项摘要

项目成果

期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(6)
专利数量(0)
高压LDMOS I-V特性宏模型的建立
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    《微电子学与计算机》,第24卷,第8期,p11-13,2007年8月
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
复合多晶硅栅LDMOS的设计
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    《微电子学》,第36卷,第6期,P810-813,2006年12月
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    《微电子学与计算机》,第24卷,第11期,p17-20,2007年11月
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
Modeling of Gate Capacitance f
栅极电容 f 的建模
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:
对异质栅LDMOS的物理建模和仿真
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    《中国科学与技术大学学报》,第37卷,第11期,2007年11月
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
  • 通讯作者:

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi || "--"}}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year || "--" }}
  • 期刊:
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子:
    {{ item.factor || "--"}}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

其他文献

CMOS兼容电容型湿度传感器的理论模型
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  • 通讯作者:
    柯导明
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
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    --
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    柯宜京
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  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    物理学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
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  • 通讯作者:
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  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
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    --
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    陈军宁
量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响
  • DOI:
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  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    半导体学报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    代月花;陈军宁;柯导明;孙家讹;徐超
  • 通讯作者:
    徐超

其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi || "--" }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year || "--"}}
  • 期刊:
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子:
    {{ item.factor || "--" }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}
empty
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复合多晶硅栅射频高增益MOSFET的研究
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{{ item.name }}
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    {{ item.ratify_no }}
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    {{ item.approval_year }}
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    {{ item.support_num }}
  • 项目类别:
    {{ item.project_type }}

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{{ item.name }}
{{ item.translate_name }}
  • 批准号:
    {{ item.ratify_no }}
  • 财政年份:
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额:
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别:
    {{ item.project_type }}
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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