复合多晶硅栅射频MOSFET的研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:60644007
- 项目类别:专项基金项目
- 资助金额:8.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:F0405.半导体器件物理
- 结题年份:2007
- 批准年份:2006
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2007-01-01 至2007-12-31
- 项目参与者:柯导明; 徐超; 代月花; 孟坚; 谭守标; 李正平; 刘磊; 刘琦; 孙家讹;
- 关键词:
项目摘要
复合多晶硅栅射频MOSFET采用栅工程的概念,通过对栅的设计,得到特性优良的新结构射频MOSFET。所设计的栅有S-gate 和D-gate 两块并列组成,S-gate用高功函数p多晶硅,D-gate用低功函数n多晶硅。由于靠源端的阈值电压稍高于漏端的阈值电压,沟道中产生阶梯分布电势,电场沿沟道有一个峰值,载流子可以得到更大的漂移速度,其结果是提高了驱动电流、跨导和截止频率。同时又减小了漏漂移区末
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(6)
专利数量(0)
高压LDMOS I-V特性宏模型的建立
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:《微电子学与计算机》,第24卷,第8期,p11-13,2007年8月
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
复合多晶硅栅LDMOS的设计
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:《微电子学》,第36卷,第6期,P810-813,2006年12月
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
全耗尽SOI LDMOS阈值电压的解析
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:《微电子学与计算机》,第24卷,第11期,p17-20,2007年11月
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
对异质栅LDMOS的物理建模和仿真
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:《中国科学与技术大学学报》,第37卷,第11期,2007年11月
- 影响因子:--
- 作者:
- 通讯作者:
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