反铁磁/铁磁双层纳米膜界面磁特性的X射线磁性圆二色研究

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项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    10605024
  • 项目类别：
    青年科学基金项目
  • 资助金额：
    30.0万
  • 负责人：
    闫文盛
  • 依托单位：
    中国科学技术大学
  • 学科分类：
    A3010.核技术在其他领域中的应用
  • 结题年份：
    2009
  • 批准年份：
    2006
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    2007-01-01 至2009-12-31

项目摘要

界面磁性是当前自旋电子学基础研究的核心问题之一，而实现界面磁性的探测是设计和实现自旋电子器件的关键。然而，由于探测和分离出界面信号的困难以及研究体系的多元素特点，寻求建立一种能够直接探测界面磁性且具有元素分辨能力的实验方法，成为人们的追求目标。本项目根据出射电子的逃逸深度和同步辐射X射线磁性圆二色(XMCD)能够给出特定元素磁特性（轨道磁矩、自旋磁矩）之特点，依托国家同步辐射实验室的XMCD站，建立部分电子产额的XMCD探测技术（PEY-XMCD），实现界面磁性的直接探测，为我国科学工作者提供一种新的磁性测试手段。利用PEY-XMCD研究具有反铁磁/铁磁双层膜结构的NiO/Co纳米膜界面Co原子的磁特性，并结合掠入射荧光XAFS获得的界面Co原子的电子结构和几何结构，明确界面Co原子的磁特性与其电子结构和几何结构的关系，为研究反铁磁/铁磁双层膜中产生交换偏置效应的微观机理提供实验依据。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（19）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Structures and magnetic properties of (Mn, N)-codoped ZnO thin films
(Mn,N)共掺杂ZnO薄膜的结构和磁性能
  • DOI：
    10.1063/1.2749179
  • 发表时间：
    2007-06
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Sun, Zhihu;Yan, Wensheng;Liu, Qinghua;Wang, Feng;Zhang, Guobin;Shi, Tongfei;Chen, Zhizhan;Qi, Zeming;Li, Zhongrui;Wei, Shiqiang;Zhang, Huawei
  • 通讯作者：
    Zhang, Huawei
Energetic stability, electronic structure, and magnetism in Mn-doped silicon dilute magnetic semiconductors
锰掺杂硅稀磁半导体的能量稳定性、电子结构和磁性
  • DOI：
    10.1103/physrevb.77.245211
  • 发表时间：
    2008-06
  • 期刊：
    Physical Review B
  • 影响因子：
    3.7
  • 作者：
    Yan, Wensheng;Pan, Zhiyun;Pei, Congjian;Jiang, Yong;Sun, Zhihu;Mai, Cong;Soldatov, A. V.;Zhang, Xinfeng;Liu, Qinghua;Wei, He;Wei, Shiqiang
  • 通讯作者：
    Wei, Shiqiang
Structures and magnetic properties of (Fe, Li)-codoped NiO thin films
(Fe, Li)共掺杂NiO薄膜的结构和磁性能
  • DOI：
    10.1063/1.2841819
  • 发表时间：
    2008-02
  • 期刊：
    Applied Physics Letters
  • 影响因子：
    4
  • 作者：
    Xu, Pengshou;Guo, Yuxian;Yan, Wensheng;Pan, Zhiyun;Weng, Weixiang;Wei, Shiqiang;Yan, Shishen;Zhang, Yunpeng;Sun, Zhihu;Liu, Qinghua;Zhang, Guobin
  • 通讯作者：
    Zhang, Guobin
Formation mechanism of Ge nanocrystals embedded in SiO2 studied by fluorescence x-ray absorption fine structure
荧光X射线吸收精细结构研究嵌入SiO2中Ge纳米晶的形成机理
  • DOI：
    10.1088/1009-1963/16/9/044
  • 发表时间：
    2007-02
  • 期刊：
    CHINESE PHYSICS
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    Li Zhong-Rui;Wei Shi-Qiang;Pan Zhi-Yun;Sun Zhi-Hu;Yan Wen-Sheng
  • 通讯作者：
    Yan Wen-Sheng
Growth of embedded Ge nanocrystals on different substrates
嵌入Ge纳米晶体在不同基底上的生长
  • DOI：
    10.1063/1.2733993
  • 发表时间：
    2007-05
  • 期刊：
    Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    3.2
  • 作者：
    Pan, Zhiyu;Sun, Zhihu;Wei, Shiqiang;Li, Zhongrui;Yan, Wensheng;Kolobov, A. V.
  • 通讯作者：
    Kolobov, A. V.

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其他文献

用XANES研究Ga1-xMnxN稀磁半导体
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
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Si(111)衬底上多层石墨烯薄膜的外延生长
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  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    中国科学技术大学学报，已录用
  • 影响因子：
    --
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    韦世强;孙治湖;潘志云;闫文盛
  • 通讯作者：
    闫文盛
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    --
  • 发表时间：
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    闫文盛
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  • 发表时间：
    --
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
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  • 通讯作者：
    韦世强

其他文献

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相似国自然基金

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相似海外基金

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AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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